非掺杂
工艺等方式，HJT量产稳态效率可达24.7%+;22年可通过银浆、靶材的材料优化将HJT平价量产效率提升到25%;23年可通过非晶微晶相结合，将量产平均转换效率提升到25.5%;24年通过无主栅等技术
镀膜，再翻面完成另一面镀膜，即ip+in或in+ip的顺序，该工艺的缺点在于p型掺杂层镀膜完成后，硼残留在腔体及托盘表面，硼污染会影响本征层的钝化效果，降低转换效率。目前，PECVD设备采用两次翻面即
竞争壁垒，市场份额加速向全产业链布局的头部企业靠拢
在国内外市场强劲市场需求的带动下，整个光伏产业链目前已经进入到了快速成长期。从上游的硅料，到中游的硅片、电池片、组件乃至逆变器、辅材等非硅环节，无不充斥
进一步集中。
电池片环节的主要功能在于对硅片进行元素的掺杂扩散、丝网印刷，继而产出单晶硅电池。相比于硅料和硅片环节，电池片环节由于当前生产工艺的技术壁垒相对较低，行业竞争也较为激烈。龙头企业隆基股份
汉能的 25.1%)，长期有望超 28%，效率优 势明显。
2) 工艺流程更简化，降本空间更大：HJT 为低温工艺，在硅片成本(利于薄片化 和减少热损伤)和非硅成本(燃料能源节约
。
TOPCon 原理：在电池的背面制备一层超薄的隧穿氧化层和高掺杂的多晶硅薄层。两 者共同形成的钝化接触结构，为硅片的背面提供了良好的表面钝化。超薄氧化层可以使多子电子隧穿进入多晶硅层时租到少子空穴复合，进而
向美国商务部正式投诉中国的不公平贸易行为。当时，这家美国制造商参与了太阳能组件制造的每一个步骤：将多晶硅熔化并塑成硅锭，将硅锭切成硅片，掺杂硅片制成电池，最后将电池组装成成品太阳能组件
情况迫使REC在2019年关闭了摩西湖工厂。其蒙大拿州的工厂仍在生产多晶硅，但只用于电子市场。Sutton称，如果非中国的太阳能供应链不能很快建立起来， REC将会更多的投资于使用硅的下一代
，华晟此次发布的166常规尺寸的冠军电池片，其微晶工艺具备量产性，可以基于现有非晶产线设计基础升级实施，仍然使用PVD量产工艺溅射TCO薄膜，因此具备大规模量产推广的可行性，其难度和含金量不言而喻
量产电池新纪录，基于迈为相关设备所实现的微晶工艺功不可没。CTO王文静博士表示：未来HJT电池进一步提高效率的方向是使用掺杂微晶硅或者掺杂微晶氧(碳)化硅替代目前的掺杂非晶硅，这样可以进一步提高掺杂
来自于硅片薄片化方向的进展，因为HJT电池是对称结构，易于薄片化且不影响效率，自目前175m降至2022年130m以下，能够使得Voc上升，效率提升成本降低;降低非硅成本方面，主要是银浆、TCO靶材的降本
以内，折旧成本下降0.03元/W，降本空间超40%。
总体而言，Solarzoom预计2022年硅片成本和非硅成本较目前降低40%+，HJT电池总体生产成本从目前的0.9元/W下降至0.52元/W
，涉及到高效电池、组件以及上游原材料加工。电池方面大族光伏带来兼容210等大尺寸硅片加工的扩散、氧化、退火、镀膜、激光掺杂、激光开膜等高性能装备。
谈及高效电池路线的选择，王俊朝指出，当下两大高效电池
掺杂多晶硅沉膜设备即可实现，而HJT电池需要投资全新产线。当前Top-con产线和HJT产线初始投资分别在2亿/GW和4.5亿/GW左右，电池单瓦成本偏高，还需另外进一步提高两款电池的制程掌控能力
衬底隔离的方案减少少子复合，在电池背面制备一层超薄氧化硅，然后再沉积一层掺杂硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构。超薄氧化层可以使多子电子隧穿进入多晶硅层同时阻挡少子空穴复合，进而电子在多晶硅层横向传输
产线设备兼容性较强，以 PERC 产线现有设备改造为主，主要新增设备在非晶 硅沉积的 LPCVD/PECVD 设备以及镀膜设备环节。目前 PERC 电池产线单 GW 投资在 1.5-2.0 亿元
冷却技术、高速进出舟技术、高效风道技术等。其应用解决了困扰国内厂家大口径炉管类设备多年难题，显著提升均匀性，有效缩短非工艺操作时间，进而提高设备有效产能。大族光伏装备拥有这些专利技术的完全自主知识产权
。除了用于PERC电池的正背面钝化沉积设备、扩散退火炉、激光掺杂机、激光开槽机、激光无损划裂机等，大族光伏装备不断集合创新技术、高起点地研发TOPCon、HJT等新型电池量产装备，携手核心客户共同发展，迈向新征程，未来致力于为客户提供更有竞争力的电池整线加工解决方案和综合服务。
，薄片化是未来的趋势，现在可以做到100m，现有技术极限是50-80m，应用柔性化技术可以将来做到30m，同时，减少掺杂也是未来的趋势之一。
异质结电池技术发展三个重要阶段
试水探索期
前面3-4年的培育，①在设备厂商的协同合作下，设备国产化并使得整线投入大幅下降，可与PERC产线成本相比较(一般认可高20%以内);②辅材(低温银浆、靶材等)国产化并形成规模效应，可使非硅成本较大
