非掺杂
(包头+乐山)成本也在 3-4-5;老产能，如新特、大全 1 期产能会在 3.5-4.5-5.5;成本下降还是有一定空间，如大硅片应用非硅成本有下降空间，异质结电池的薄片化，硅片厚度可能会从当前
支撑硅料价格在 100 元/kg 以上;
11、颗粒硅：当前名义产能合计在 2 万吨多一点，有效产能更低;目前能满足掺杂使用的要求，未来需求存在不确定性，如 N 型电池对硅料品质要求更高，达到
,降低非硅成本,提高电池效率。
除此之外，该技术还可应用在常规网版，降低印刷开口处的网结比率。根据行业经验得，相比于常规网版，无网结网版印刷工艺电池效率可提升0.13%以上 (见表一)。
无网
价值。
不仅于此，作为光伏行业的专业激光解决方案提供商，大族光伏装备对光伏电池、组件及配套辅材等市场深耕已久。我们将与产业链上下游企业协同创新发展，助力光伏行业再升级。目前激光划裂、PERC开膜、激光掺杂
PERC处于商业化探索阶段，以试验产能为主，产能放量较少;核心设备供应主要为海外厂商，产线投资成本较高。2015-2017年PERC平均转换效率由量产初期的20.4%提升至2017年的21.3%，电池非硅
硅，然后再沉积一层掺杂硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构。TOPCon代表企业中来股份12月9日宣布，泰州中来生产的TOPCon电池量产转换效率已达到24.5%。根据PV Infolink数据，全球
面，颗粒硅的产品品质，颗粒硅的掺杂可以达到 30%? 目前了解到行业掺杂没有达到 30%的，一般是 5%-10%的掺杂水平。目前公司有家下游客户是做 N 型硅片的，客户反馈颗粒硅品质不能满足硅片的需求
平台型技术，提效潜力巨大，有望成为下一代主流技术：HJT 电池本征非晶硅层将 N 型衬底与两侧的掺杂非 晶硅层完全隔开，实现了晶硅/非晶硅界面态的有效钝化，带来了相比 PERC 更高的开路电压，从而
增加、反应温度和直流自偏压降 低，能够减小等离子体的离化程度以及轰击效应，且有利于生成更多的反应前驱物，保证了薄膜优质生长，薄膜缺更少、致密性更佳、电导率更高。
但是高频场极易导致更多非均匀源的
。
采用不含MA的甲脒基钙钛矿(FAPbI3)可以获得热稳定性更好的太阳能电池。在FAPbI3中掺杂Cs+、Rb+等一价阳离子可进一步稳定钙钛矿结构并有效提高器件性能。然而，基于FA体系钙钛矿的效率仍然
薄膜进一步光电性能表征发现，该异质结构能够减少非辐射复合并提高载流子寿命。同时，第一性原理计算表明无机CsPbI3为主的表面使得钙钛矿的肖特基缺陷形成能增加，这使得晶体界表面处缺陷密度降低。以上实验表明
分为工艺设备(半导体掺杂沉积光伏设备、湿法工艺光伏设备等)、自动化设备、配件等其他，今年上半年营收分别为15.57亿元、2.71亿元、0.63亿元，此前均经历了持续的高增长。
回顾前几年，由于光伏行业
研究报告显示，捷佳伟创聚焦光伏电池片设备领域，是目前国内唯一一家具备PERC整线供应能力的企业，竞争优势明显。2019年主要产品半导体掺杂沉积光伏设备、湿法工艺光伏设备市占率超50%。
持续加大研发投入
在150C以下会翻脸，从光活性的黑相(a相)转变成非光活性的黄相(d相)，造成材料降解及电池性能衰减。虽然通过掺杂混合等方式可以得到室温稳定的a-FAPbI3薄膜，但是在实际工作条件下，材料会出现相分
(FASCN)蒸汽的气相辅助生长技术。该技术能在较低退火温度下(100C)将FAPbI3从黄相完全转化为黑相，并保持长期稳定。
非光活性的黄相在MASCN蒸汽或FASCN蒸汽下转换为光活性的黑相
、稳定性两个要点，其中纯度是门槛，而稳定性是杂质问题。如果硅料厂杂质类型和纯度稳定，硅片厂就方便进行掺杂工艺。也有硅料企业认为，旧产线改造N型硅料产能的难度较大，成本需求增加5%，基于目前庞大的硅料产能
，目前异质结电池非硅成本水平大致位于0.6-0.7元/W区间，相对于0.4-0.5元/W的目标仍有一定幅度的差距。就非硅成本的组成而言，异质结电池在低温银浆、设备折旧、靶材耗用等方面均有较大的降本潜力
解决方案：
● DK93T背面副栅导电银浆：更温和、可控的蚀刻能力，良好接触并保护掺杂Poly-Si层，助力100nm Poly-Si设计量产
● DK81A正、背面主栅导电银浆：非烧穿设计，可定制调整的
，助力高方阻LDSE工艺与无网结印刷技术发展，适配210尺寸大硅片更为严格的工艺窗口与印刷窗口，是推动P型单晶PERC电池实现23%量产转换效率的关键
● DK81A分步印刷主栅导电银浆：非烧穿
