非掺杂

、稳定性两个要点，其中纯度是门槛，而稳定性是杂质问题。如果硅料厂杂质类型和纯度稳定，硅片厂就方便进行掺杂工艺。也有硅料企业认为，旧产线改造N型硅料产能的难度较大，成本需求增加5%，基于目前庞大的硅料产能
，目前异质结电池非硅成本水平大致位于0.6-0.7元/W区间，相对于0.4-0.5元/W的目标仍有一定幅度的差距。就非硅成本的组成而言，异质结电池在低温银浆、设备折旧、靶材耗用等方面均有较大的降本潜力

解决方案： ● DK93T背面副栅导电银浆：更温和、可控的蚀刻能力，良好接触并保护掺杂Poly-Si层，助力100nm Poly-Si设计量产 ● DK81A正、背面主栅导电银浆：非烧穿设计，可定制调整的
，助力高方阻LDSE工艺与无网结印刷技术发展，适配210尺寸大硅片更为严格的工艺窗口与印刷窗口，是推动P型单晶PERC电池实现23%量产转换效率的关键 ● DK81A分步印刷主栅导电银浆：非烧穿

吸收以及减少死层降低复合从而提升转换效率。但是高方阻浅结使得表面薄层电阻增加，尤其对银浆与硅片间的接触电阻形成了巨大的挑战。贺利氏新一代SOL9671B在高掺杂区域100欧姆每方块电阻的电池上相较于
升级，在接触性能提升的同时也能有效减少激光在掺杂工艺中对选择性发射极的损伤，降低复合从而使开路电压得以提升。 图5. SOL9671B 展现出更低的金属接触复合 SOL6700B 助力

核心技术是背面钝化接触，硅片背面由一层超薄氧化硅(1~2nm)与一层磷掺杂的微晶非晶混合Si薄膜组成。钝化性能通过退火过程进行激活，Si薄膜在该退火过程中结晶性发生变化，由微晶非晶混合相转变为多晶。在

，Heterojunction with Intrinsic Thin layer)是一种在 P 型氢化非晶硅和 n 型氢化非晶硅与 n 型硅衬底之间增加一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜的电池结构。标准
的晶体结构具有不连续性，悬挂键密度高导致缺陷密度大，非晶硅层通过降低表面悬挂键的密度实现优良的界面钝化;2)HIT 电池在单晶硅衬底和掺杂非晶硅薄膜之间插入了一层较薄的本征非晶硅薄膜，使得异质结界面的界面态

后的 PERC 电池提升 1.5%的转换效率，而增量的非硅成本控制在 0.07-0.1 元/W，考 虑到异质结组件的发电增益，则异质结电池的增量利润有望高达 0.14-0.17 元，增量利润空
和掺杂非晶硅薄膜环节，理想万里晖提供的 PECVD 设备在备受好评，迈为股份也不断精进其 PERCVD 设备;在沉积 TCO 薄膜环节， 钧石能源的 PVD 设备已经入大规模生产应用，捷佳伟创在获得

GW，对应新增大尺寸硅片产能 150GW~197GW。 在硅片制造工艺流程中，核心设备主要包括长晶炉、截断机、滚磨机、切片机及分选机，其中单晶炉价值占比最大。 目前，非
在大尺寸硅片市场占比达到 22.4%，同时随着技术进步及设备产能提升，210 及非 210 硅片单 GW 设备平均投资分别下降至 1.65 和 2.25 亿元，则对应 2020-2022 年硅片设备

法生成单晶硅材和铸锭法生成多晶硅材。 硅片成本大致可分为硅料成本和非硅成本。硅片生产成本的50%-60%主要由硅料价格决 定，硅片厂商往往可以通过提高切割的出片量来
摊薄成本。非硅成本包括长晶过程中设备、电 力、人工、特气的耗费，以及切片过程中金刚线线材损耗等其他成本。 单晶市占率上升，与多晶价差扩大。根据智研咨询，2018年国内单晶硅片产量占

措施，到今年疫情后对非高耗能企业电费的阶段性减免，再到此次电网硬扛不难看出，电网企业很大程度地承担了地方经济调控的角色。交叉补贴、社会责任，这些非商业化的社会目标，使得现行的电网收益模式下，以统购统销
改革已经超脱了经济、电力的单一范畴。 但是，在市场化改革近半途的当下，市场效率与电价体系仍未形成正相关的激励相容，这其中或多或少还掺杂着国有企业职能转变、市场设计以及电源规划统筹对交易形成价格、输配电价

在国家重点研发计划的支持下，上海科技大学物质学院宁志军课题组在非铅钙钛矿太阳能电池方面取得重要进展。通过器件结构的改进将锡基钙钛矿太阳能电池的开路电压提高到了0.94 V，实现了12.4%的光电
转化效率，这是目前国际上已报道的稳态输出效率最高的非铅钙钛矿太阳能电池。该成果以Ultra-high open-circuit voltage of tin perovskite solar