非掺杂

表面流出，实现两者的分离。 异质结电池独特的非掺杂(本征)氢化非晶硅薄层异质结结构，改善了对硅片表面的钝化效果，降低了表面复合损失，提高了电池效率。 对比 PERC，异质结电池
产线上升级改造，可延续存量产能使用寿命 TopCon 电池：基于N 型硅衬底，前表面采用叠层膜钝化工艺，背表面采用基于超薄氧化硅和掺杂多晶硅的隧穿氧化层钝化接触结构，可双面发电。得益于超薄氧化硅和掺杂

高浓度掺杂层和基片之间填加了一层本征非晶硅层。近年来，由于光电转换效率高、性能优异、降本空间大、有较好的平价上网前景，HIT电池被认为是未来的电池解决方案。多家上市公司，也宣布布局HIT电池相关生产线
亏损。 实际上，2018年只是表面上扭亏，实则经营不仅没有出现好转，反而进一步恶化。净利润扭亏的同时，扣非归母净利润的亏损却同比增长了24.48%;这主要源于，其1.49亿元的投资收益，使其扭亏为盈

添加了石墨烯，石墨烯薄片沉积在二氧化钛前驱体和二氧化钛纳米粒子溶液上。少量的石墨烯薄片掺杂已证明足以在不改变整个电池光吸收的情况下改进了电荷传输，提高电池的光电性能。 研究小组表示，他们没有使用传统
转化效率，显然这次的电池面积更大。对于钙钛矿薄膜电池，最大的挑战就是在大面积上实现高效率，全球能把钙钛矿电池效率做到23%以上的团队寥寥无几。 研究人员认为，石墨烯改善了钙钛矿电池的性能，而异质结晶硅电池结构的背部非晶膜允许增加张力。

太阳能电池，是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势，是高转换效率硅基太阳能电池的重要发展方向之一。HIT结构就是在晶体硅片上沉积一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂

Zheng告诉TechXplore:效率最高的钙钛矿光伏设备是基于常规结构，它们必须在空穴运输材料中加入离子掺杂剂。通过去除这些不稳定的掺杂物，倒置结构的光伏设备有助于提高该技术的运行稳定性。不幸的是
，在加工过程中，只需微量的烷基胺就足以改变钙钛矿材料的性能，其有利的方式如下:(1)促进晶粒取向;(ii)抑制陷阱态密度;(iii)减少载流子的非辐射复合(即损耗)，提高载流子的移动能力和扩散长度

，技术已经非常成熟，效率已经达到了22.5%，明年大概率就要见到23%的效率极限，很多技术手段都已经用了，再往上提效可能比较困难或者不具备经济性;而且PERC的非硅成本也已经到0.23元/瓦左右，再下
。 异质结电池结构和生产工序。异质结电池以N型硅片做衬底，先清洗干净制作金字塔绒面，然后再两侧分别沉积本征非晶硅薄膜，起到钝化硅片两侧悬挂键的作用，然后再接着沉积掺杂非晶硅，制成PN结，PN结就是

功率衰减8%、4%发电增益的假设下，判断HJT电池非硅成本的临界范围约0.4-0.5元/W，预计当异质结电池性价比优势逐步显现之后有望实现对主流路线的替代。 02支撑评级的要点 HJT电池实验室
功率衰减8%、4%发电增益的假设下，我们认为目前HJT电池在组件端可享有约0.25-0.39元/W的溢价空间。 组件溢价构建HJT电池非硅成本空间：在合理的组件溢价空间下，我们测算得到当前HJT电池的

面结构中的钙钛矿组成研究了J-V的滞后行为。此外，提出了针对无回滞PSC的方法。根据组成，在J-V曲线形状方面存在回滞的特定趋势。 离子迁移与界面附近的非辐射复合相结合，在产生滞后现象中起着至关重要的
作用。界面工程是减少滞后的有效方法;然而，体缺陷工程是消除滞后的最有希望的方法。无论钙钛矿组成如何，KI掺杂被证明是无滞后PSC的通用方法。最后提出了在电子传输层和空穴传输层附近的钙钛矿膜的调控对于实现

FA的键合强度，重点是非共价键合形式，例如氢键合。然后，他们研究了在FA铅卤化物钙钛矿结构中添加其他有机掺杂剂是否可以进一步增强稳定性。 施温根施洛格说：我们首次证明了有机阳离子的非共价键结合强度
可用于改善杂化钙钛矿材料。。尽管共价键最强，但其他类型(包括有机阳离子掺杂剂和卤化铅组分之间的氢键和卤素键)有助于稳定钙钛矿结构。 我们证明，掺杂适当体积和形状的有机阳离子(那些通过氢键和卤素键比FA

：H基薄膜掺杂、禁带宽度和厚度等可以较精确控制，工艺上也易于优化器件特性;低温沉积过程中，单品硅片弯曲变形小，因而其厚度可采用本底光吸收材料所要求的最低值(约80m);同时低温过程消除了硅衬底在高温
96%，背面发电的优势明显。 (3)高效率目前HIT电池的实验室效率已达到23%，市售200W组件的电池效率达到19.5%。 (4)高稳定性HIT电池的光照稳定性好，理论研究表明非品硅薄膜/晶态硅