非掺杂

Tunnel oxide、Poly-Si、正面膜设备，该技术核心方案完美实现了隧穿层、Poly层、原位掺杂层的 三合一 制备，不仅解决了传统TOPCon电池生产过程中绕镀、能耗高、石英件高损耗的固有
难点，而且新型PE-poly技术路线的原位掺杂时间仅为传统LP路线的五分之一。 该技术路线的正面膜率先实现新型二合一模式、背面Poly实现三合一模式量产，从产品良率到转换效率已具备明显优势;并且从设备投资到

。 量产微晶HJT电池 大腔室PECVD更具优势 微晶掺杂层的异质结电池的转换效率比非晶掺杂层电池的高出0.5%，微晶异质结电池的量产重中之重在于PECVD设备。2020年开始，公司逐步将微晶

可能会到70-80的原点水平。从明年开始价格呈下滑趋势，但也要看规划的产能是否能落地。 13、 如何看待颗粒硅的技术、价格或未来趋势 A：颗粒硅掺杂比例可以不断提高，从开始的15%-20%，在努力
下降到20~30%水平的原因，当时它是亏损的。在价格上涨过程中，组件的盈利水平无法保持稳定的比例也是因为话语权较下游电站弱。 Q：把非硅成本的价格变化也计算上后，一季度到四季度组件盈利的环比变化趋势

Emitter 和 BSF，并在 POLY-Si 与掺杂层之间沉积一层隧穿氧化层 SiO2。这样的背表面钝化可以有效降低复 合，实现更好的接触，进而提高电池转化效率。 HBC 电池：2014 年，松下
的 Emitter 和 BSF 区域为 p+非晶 硅和 n+非晶硅层，在异质结接触区域插入一层本征非晶硅钝化层。HBC 电池具有高质量的钝化效果和低的温度 系数，并同时具备大短路电流和高开路电压的双重优势

非晶硅沉积工艺。正面用氧化铝或氧化硅替代本征非晶硅钝化膜;背面用超薄隧穿氧化硅替代本征非晶硅层，保持了钝化接触能力和高Voc; (3)用LPCVD设备利用BCl3气态源实现了低温硼掺杂非晶层，掺杂浓度

退火重结晶加强钝化效果。最终会形成一层超薄的隧穿氧化层和一层高掺杂的多晶硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构，该结构为硅片的背面提供了良好的表面钝化，超薄氧化层可以使多子电子隧穿进入多晶硅层，同时阻挡
PERC组件效率高约3%，相当于在组件端可以节约3%的非硅材料和制造成本。在系统应用端同样可以节省约3%的系统BOS成本，可以在同样的安装面积下实现更高的装机量，提升单位土地面积的发电量，对于土地资源紧张的

，从而使得具有微晶硅掺杂层薄膜的HJT电池比非晶硅薄膜HJT具有更高的转换效率。金石能源实验结果表明，采用微晶掺杂层的HJT电池的转换效率比非晶掺杂层电池的高出0.5%。 金石能源隆重推出 HJT

商。 ▍N 型硅料工艺要求高，龙头厂商更具优势。伴随着 N 型电池发展，N 型硅料需求量快速提升。N 型料掺杂磷元素，少子寿命要比 P 型高出 1-2 个数量级，温度系数低导致高温条件下可获得加高输出功率
：直接掺杂。LPCVD 制备多晶硅膜结合扩硼及离子注入磷工艺。离子注入技术是单面工艺，掺杂离子无需绕度，但扩硼工艺要比扩磷工艺难度大，需要更多的扩散炉和两倍的 LPCVD，投资成本高、良率更高，主要

市场占有率仍在不断扩大。 TOPCon成套银浆产品未来市场空间广阔 据了解，TOPCon 是一种在 PERC 结构电池基础上，在硅片背光面制备超薄膜氧化硅层和沉积高掺杂多晶硅层，以达到降低界面
研报显示，银浆作为电池片核心辅材，在电池片非硅成本中占比约33%。原本很少被关注的银浆，正悄然成为光伏产业版图中的主角之一，其产品和技术的快速升级和迭代关系着电池的转化效率不断提高。同时，银浆的国产化