文章介绍前驱体质量对钙钛矿薄膜的形貌、晶粒尺寸、结晶度和陷阱态密度起着决定性作用,其的长期稳定性对于钙钛矿太阳能电池(PSCs)的可靠放大具有重要意义。基于此,武汉理工大学钟杰等人提出常用的N,N-
中,以抑制这些副反应链,并有效减轻阳离子和碘离子(I⁻)的有害降解。Th的协同效应使其能够与未配位的Pb²⁺结合,调节结晶过程,从而实现低缺陷密度的高质量薄膜。因此,基于Th的前驱体展现出更长的存储
7Li核磁共振谱。e) 含/不含Li-TFSI的C8A溶液1H核磁共振谱。f,g) 含/不含C8A的Ag电极薄膜Ag 3d
X射线光电子能谱。h) 基于C8A与多组分离子主客体相互作用的迁移抑制
15 分钟。用去离子水将
SnO₂胶体溶液(15wt%)稀释至 3.75wt%。将 SnO₂胶体溶液以 3000 rpm 的转速旋涂在 ITO 衬底上,持续 30 秒。SnO₂薄膜在
150
~
2的组件的J-V曲线。(f)有效面积为641.4cm 2的模块的J-V曲线。图5. 钙钛矿薄膜和器件的稳定性。在N2气氛中,在一个太阳照射和85
°C加热下,钙钛矿前体溶液(a)不含
(对照)和(B)含GAOA(目标)的吸收边演变。(c)对照和(d)目标钙钛矿薄膜在连续85
°C处理下的伪二维PL光谱演变(e和f)在环境温度(~25 °C和~
25%RH)下钙钛矿微晶的XRD
米范围内,放飞风筝或者其他空中飘移物,或者未采取固定措施敷设塑料薄膜、彩钢瓦等遮盖物;(二)在电力线路保护区区域内采石、取土、挖砂、挖沟、打桩、钻探或者倾倒酸、碱、盐等化学腐蚀物质;(三)在电力线路保护区
簇通路快速合成高质量SnO2电子传输层(ETL),同时促进逐离子通路产生均匀的薄膜。生成的SnO2薄膜具有优异的光电特性,包括低表面复合速度(5.5
cm/s)和24.8%的高电致发光效率。这些
配位,稳定它们并调节成核动力学。这种分子水平的控制优先引导生长方向直接逐个离子沉积到基材上,避免了影响薄膜完整性的胶体SnO₂簇的形成。这种富含配体的环境还提供表面缺陷的生化钝化,这些缺陷在最终薄膜中
2024年2月9日德国亥姆霍兹柏林能源与材料研究中心Qiong Wang等于JACS发文,详细报道了经干燥和环境空气退火处理的 CsPbI₃
薄膜的表面分析,以及它们在钙钛矿太阳能电池中后续改性
界面的情况。我们发现,在环境空气中退火并不会对半导体薄膜的光电性能产生不利影响;相反,经环境空气退火处理的样品会发生表面改性,通过硬
X
射线光电子能谱测量确定,这会导致能带弯曲增强。我们
载流子分离对提升器件性能至关重要。与此同时,大多数光生空穴需要穿越整个钙钛矿薄膜才能到达空穴传输层(HTL)。在 n-i-p
架构中,钙钛矿薄膜沉积在 n 型 ETL 上,尤其是在使用两步法时,通常会
离子迁移和器件的化学降解。因此,提升 n-i-p 结构 PSCs 性能的关键在于对钙钛矿能级结构的精准调控。研究内容本研究引入了2-吡啶甲醛肟(PO)作为分子掺杂剂,调控 FAPbI₃ 薄膜的电离能和
和氧空位,这些缺陷会在 n-i-p 型 PSCs
的溶液处理过程中阻碍高结晶度和无缺陷钙钛矿薄膜的理想生长,降低其功率转换效率(PCE)和稳定性。本文在
SnO₂薄膜上引入了多巴胺盐酸盐
盐酸盐(DACl)自组装单层(SAM)引入 SnO₂电子传输层与钙钛矿的界面,通过邻苯二酚基团对
SnO₂表面缺陷(如羟基、氧空位)的高效钝化,显著改善钙钛矿薄膜的结晶质量,抑制非辐射复合。2、双
针孔形成和增强大面积钙钛矿薄膜的均匀性,显著改善了WBG钙钛矿的质量。DOPS与WBG钙钛矿的相互作用有效调控了结晶过程并钝化了未配位的Pb²⁺缺陷,从而制备出均匀且高质量的WBG钙钛矿薄膜,抑制了非
应用:通过引入磺酸基团表面活性剂DOPS,显著提升了大面积宽带隙钙钛矿薄膜的均匀性和结晶质量,抑制了非辐射复合。2、高效率与可扩展性:WBG单结器件在1.0 cm²和20.07
cm²面积下分别
Science刊发整体性优化实现高效率与机械稳健性超薄柔性钙钛矿太阳能电池的最新研究成果。该研究开发了几种策略来提高超薄f-PSC
的机械柔韧性和光伏性能。首先,在钙钛矿薄膜的边界处引入具有低
转移到钙钛矿薄膜中,进一步提高了器件的机械柔韧性。因此,成功制造了一种功率转换效率为21.44%的超薄f-PSC,创纪录的47.8
W g-1单位重量功率值。通过将超薄 f-PSC
层压在预