薄膜

Electroluminescence”开发了一种低温辅助转印方法，构建了一个包含清晰CsPbBr3-CsPbI3纳米晶体薄膜界面的模型PeLED，用于追踪钙钛矿纳米晶体薄膜之间沿电场方向的离子迁移。综合研究表明，穿过纳米晶体薄膜

的稳定性，防止δ相转变和PbI₂析出，显著提升热耐受性。界面调控：优化钙钛矿薄膜的结晶度，形成致密结构，降低表面粗糙度，减少载流子复合中心。2.高电流密度下的高效发光机制实现了近红外PeLEDs在宽

Poly-2PACz的化学结构。(B)通过UPS测量的ITO上的2PACz和Poly-2PACz薄膜的能级。(C和D)被2PACz(C)和Poly-2PACz(D)覆盖的ITO玻璃基板的c-AFM电流图像。图2.
UV照射之前和之后的1H NMR光谱。图3. HTL对薄膜PL特性和器件PCE的影响。(A和B)涂覆在2PACz和Poly-2PACz上的钙钛矿膜的稳态PL(A)和TRPL光谱(B)。(C)基于

微电子印刷技术最近已成为推进像素阵列钙钛矿薄膜(特别是准二维钙钛矿薄膜)发展以满足当前科技需求的关键方法。然而，其进一步发展受到印刷过程中钙钛矿不可控结晶的阻碍。鉴于此，南开大学于美慧副教授&李娟
Delaminated metal–Organic framework Modulation”，本文展示了一种用于获得准二维钙钛矿薄膜的新型原位异质成核生长方法，该方法利用具有有序结构的分层金属有机

辐射复合等问题。文章提出了一种精确的逐步抗溶剂处理技术，通过调节抗溶剂的添加量，实现了准二维钙钛矿薄膜的定制化表面形貌，形成了可控的丘状形貌。这种形貌不仅增加了发光层和电子传输层之间的接触面积，提高了
钙钛矿光电器件的发展铺平了道路。图1. 通过一步法制备的钙钛矿薄膜的横截面扫描电子显微镜(SEM)图像 a)，以及使用15 μL b)、30 μL c)和45 μL d)甲苯的逐步法制备的钙钛矿薄膜

)和机械发光(ML)光谱。图5. 灵敏度器件应用的示范。a) 通过熔融铸造方法制备的灵敏度器件。b) 在不同冲击下DPO4C薄膜的机械发光(ML)光谱。c) 最大ML强度与冲击之间的关系。d) 在
折叠和拉伸刺激下DPO4C薄膜的照片。(左：普通相机拍摄;右：太阳盲相机拍摄。)e) 车辆碰撞记录过程的示意图和碰撞过程中的照片。(左：普通相机拍摄;右：太阳盲相机拍摄。)

介孔二氧化硅层(MSN-SH)作为埋底界面的超结构，有效调控锡铅(Sn-Pb)钙钛矿薄膜的结晶过程，消除纳米孔隙，钝化缺陷并抑制Sn(II)的氧化，显著减少载流子损失并提升器件稳定性。基于此，锡铅

摘要宽带隙(WBG)子电池因薄膜缺陷广泛、界面退化和相分离等问题，存在较大的光电压损失和器件不稳定性。在此，华南理工大学严克友教授团队和香港科技大学颜河教授团队通过引入聚(咔唑膦酸)的聚合物多齿锚定

) 电池，其界面基于铪氧氮化物(HfOxNy)薄膜，以改善并四苯(Tetracene, Tc)和硅之间的耦合。Tc及其衍生物是SF的主要候选物，因为它们可以形成电荷转移和多激子态。该界面还包括一种薄的