薄膜

ITO电极表面构筑致密均匀的薄膜仍是一个重大挑战。为了提升SAM作为空穴传输层在电极上的覆盖率，中国科学院化学研究所李永舫院士团队在前期研究基础上，将SAM MeOF-4PACz中的柔性烷基连接
电极表面形成均匀且致密的薄膜仍是重大挑战，这也成为限制其规模化应用的瓶颈问题。而低覆盖度的HTL会导致电极与活性层间欧姆接触不良，引发大量界面缺陷。为提升以SAMs为HTL的覆盖度，需从分子结构

。3. 电荷传输层(HTL/ETL)：需要与柔性基底良好附着的均匀薄膜引入界面层和添加剂显著提高了性能4. 钙钛矿层：分为全无机和杂化两类添加剂工程是提高机械稳定性的关键策略5. 顶电极：蒸镀金
：效率下降：从0.06cm²电池的25.1%效率降至900cm²模块的16.4%效率，主要由于：薄膜不均匀性欧姆损耗死区损耗薄层电阻损耗制造工艺：激光刻划(P1、P2、P3)在柔性基底上更复杂，需精确

方式在NiOx表面构建CoPc中间层：CoPcevap：通过热蒸发方法制备的薄膜;CoPcnws：通过温度梯度物理气相沉积(TG-PVD)方法形成的纳米线结构。通过比较三种HTLs(纯NiOx、NiOx
/CoPcevap、NiOx/CoPcnws)对电池性能的影响，研究者系统评估了双层结构对电荷传输、界面稳定性和器件整体性能的作用机制。关键实验与结果表面形貌与晶体结构：CoPc薄膜平整致密，可有

SnI4的CsPbI3 PQD薄膜的能量级图。图4. 基于氨基化延迟合成的PQD组装薄膜的形态、光学和电子特性。a)未添加和添加SnI4的AFM图像中标记线的高度。b)添加和未添加SnI4的
CsPbI3 PQD薄膜寿命分布的统计结果，以及插入的光致发光衰减映射图像。c)未添加和添加SnI4的CsPbI3 PQD薄膜的光电流映射。d)未添加和添加SnI4的CsPbI3 PQD厚膜的

：d为NBG薄膜中Sn²⁺氧化为Sn⁴⁺的电子损失示意图;e展示Sn²⁺在空气中易氧化及Sn粉还原Sn⁴⁺的现象;f描述钙钛矿晶界钝化与体相结晶调控策略;g对比反溶剂与气体淬火法制备WBG薄膜的截面
SEM图像;h为钙钛矿界面异质结形成示意图;i展示Pb-Sn电池异质结的HAADF-STEM图像及EDX元素分布;j是钙钛矿表面分子钝化机制示意图;k比较对照组与PDA处理WBG薄膜的KPFM图像;l

方法通过基底预热(50-100°C)优化二维钙钛矿(PEA₂FA₄Pb₅I₁₆)的结晶过程，显著提升薄膜的结晶度和厚度(最高达741 nm)，同时抑制低维相(n=2)的形成。该方法首次实现了纯铅基

氯仿溶液中的UV-Vis吸收光谱; B)LLZ 1、LLZ 2和LLZ 3薄膜的UV-Vis吸收光谱; c)LLZ 1、LLZ 2和LLZ 3的能级分布图; d)LLZ 1、LLZ 2和LLZ 3的

紫外线稳定性和空穴传输能力。此外，噻吩基团与钙钛矿中的Pb²⁺离子配位，增强了钙钛矿在空穴选择性分子上的结合力，显著提高了钙钛矿薄膜的结晶度并降低了缺陷密度，从而抑制了其在紫外线照射下的降解。基于
分子的紫外线稳定性和空穴传输能力。界面优化：噻吩基团与钙钛矿中的Pb²⁺离子配位，增强界面结合力，改善钙钛矿薄膜结晶度并减少缺陷。高效稳定器件：基于Me-TPCP的钙钛矿太阳能电池效率高达25.62

在推动钙钛矿太阳能电池产业化的征程中，如何制备高质量的大颗粒、低缺陷的宽带隙钙钛矿薄膜，一直是效率提升和稳定性改善的核心难题。近日，研究团队提出了一种简便有效的溶剂气相熏蒸策略(DMSO
fumigation)，在不更改前驱体配方的情况下，显著改善了宽带隙钙钛矿的结晶过程，制备出高质量薄膜，成功实现了30.9%的钙钛矿/硅(TOPCon)叠层电池转换效率(认证效率30.83%)，迈出了产业化