等离子光学
等离子体物理学的早期先驱。IEEE PVSC官网显示，过去35年里，从第一篇论文《通过区域熔融结晶形成硅吸收器》(1982年)到最近关于光谱分裂实现超高效模块的光学技术研究，Harry Atwater
共振散射，通过衬底上Ag纳米点与表面等离子体的相互作用，显著增加了光在a-Si:H层中的光学路径。 总之，我们成功地用基于AAO模板淀积在玻璃衬底上制作了Ag纳米点阵列。玻璃上Ag纳米点阵列的存在提高了a-Si:H光活性层在长波长区的光吸收。
的极限效率的方法，考虑了新标准的太阳光谱、硅片光学性能、自由载流子吸收参数以及载流子复合与带隙变窄的影响，当硅片厚度为110m时，单晶硅太阳电池理论效率为29.43%。硅异质结(SHJ)太阳电池的模拟
材料缺陷等导致的复合损失。
以上各种能量损失的途径可概括为光学损失(包括(1)、(2)和(3))和电学损失(包括(3)、(4)和(5))。为了提高太阳电池效率，需要同时降低光学损失和电学损失
2.1SiNx薄膜钝化研究
SiNx薄膜的制备方法有多种，从工艺效果和工业化生产来考虑，目前应用于太阳能电池生产的制备方法主要是等离子增强化学气相沉积(PECVD)法，PECVD方法的过程是在
较低气压下，利用低温等离子体在工艺腔体的阴极上产生辉光放电，利用辉光放电(或另加发热体)使样品升温到预定的温度，然后通入适量的工艺气体，这些气体经一系列化学反应和等离子体反应，最终在样品表面形成固态薄膜
与工程学系更名为材料科学与工程学院。
上海交通大学太阳能研究所
太阳能研究所成立于1996年，隶属于上海交通大学理学院物理系，拥有光学工程一级学科硕士点，同时依托物理学光学博士点、凝聚态
电子信息与光学工程学院
南开大学于1995年在原电子科学系与现代光学研究所、光电子薄膜器件与技术研究所和计算机与系统科学系的基础上，组建了信息技术科学学院。1999年学院开始实体化运作。经过十余年的建设
就会产生电离，形成自由运动并且相互作用的等离子体，等离子体沉积到硅片表面形成一层深蓝色SiN薄膜。这层SiN薄膜具有很好的光学特性，良好的膜厚和折射率可以促进太阳光的吸收，使电池片上光的反射大大减少
等离子体增强化学气相沉积法、氢化非晶硅、热氧化法、原子层沉积法以及叠层钝化，并分别介绍了它们在应用上的优缺点。分析了制备钝化膜过程中存在的问题，并提出了相应措施及发展趋势。表面钝化技术是提高晶体硅电池
两者的优化，制备出了宽光学带隙、高电导率和致密性较好的P型非晶硅材料。作为窗口层应用到HIT太阳电池中，对其厚度进行优化，在n型单晶硅衬底上制备出了效率为14.28%的HIT太阳电池。文献中何悦等利用热
摘要:利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法沉积给定折射率的氮化硅薄膜,通过正交实验法对衬底温度、NH3流量和射频功率3个对氮化硅薄膜沉积速率影响较大的工艺参数进行全局优化和调整,得到了氮化硅
镀膜的最优工艺参数。
等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的氮化硅薄膜作为理想的减反射膜,具有很好的表面钝化作用,已被广泛地用于半导体器件。沉积参数的设计和工艺安排都会显著影响氮化硅薄膜产量和质量
，氧化硅(SiO2)、氮氧化硅等也可作为背面钝化材料。
此外，为了完全满足背面钝化条件，还需要在氧化铝表面覆一层氮化硅(SiNx)，以保护背部钝化膜，并保证电池背面的光学性能。故PERC电池背面钝化多
，涉及到了厂房布局、自动化匹配、整体工艺优化重点。
表：PERC电池工艺路线发展
背面钝化工艺
◎ 等离子体增强化学气相沉积法
等离子体增强化学气相沉积法是利用辉光放电的物理作用来激活粒子的
。在该电场中，电子撞向阴极，而正离子撞向阳极。若正离子的能量能使阴极游离出新的电子，辉光放电就转化为弧光放电，即形成电弧。由此可见，电弧是一种气体游离放电现象，也是一种等离子体。
从宏观来看，光伏系统
高温，虽然现在已有测量局部热点的技术，但对于大型光伏电站而言成本过高;声学上，电弧燃烧会发出噪声，该特性可用于汇流箱内的电弧检测，而其他位置的电弧不适合用此种方法检测;光学上，电弧燃烧会发出特定频段的
