)RuO2 NP的TEM图像(RuO2 NP的尺寸分布直方图和HRTEM图像)。(d)RuO2 NPs的吸收,局部表面等离子体共振(LSPRs)吸收峰位于600 nm-1400 nm。(e)在太阳辐射
表面的温度-时间曲线。
目前很少报道金属氧化物等离子结构,尤其是具有宽带吸收的金属氧化物。该工作报道了一种便宜且稳定的RuO2 NPs等离子太阳光热空气电极,以有效地收集宽光谱的太阳光并将其转换为热量,以
资料来源:Solar Energy,中金公司研究部
表面钝化是提高光伏电池转化效率的关键
影响光伏电池片转化效率的因素主要包括光学损失和电学损失。光学损失包括光的表面反射、表面遮光和光谱
。非晶硅镀膜工艺对清洁度要求很高,因此实现大规模量产的难度也较大。目前非晶硅沉积的主流工艺方法为PECVD(等离子增强化学气相沉积)。PECVD根据结构设计可分为直列式和团簇式,团簇式PECVD产能
,成为中国光伏装备第一股。
捷佳伟创系业内较早开始开发HJT整线设备的厂商。HJT电池制备的第三道核心工序是制作透明导电膜,行业内主要采用 PVD(磁控溅射)和 RPD(反应 等离子体沉积法)两种方式
HJT电池生产制造过程中,设备是整个流程环节中的重要一环。此次泰兴项目前,爱康长兴基地已经引进了捷佳伟创全线四道工序的整线设备,在关键工艺设备上实行了共同研发。双方聚焦等离子化学气相沉积镀膜设备
为系统工程,存在难度但潜力可期
(一)技术路线优势各异,降本提效殊途同归
等离子体增强化学气相沉积(PECVD)指借助微波或射频波使腔室内的反应气体分子电离,形成的高化学活性等离 子体在基片表面
层的厚度需控制 在 5~10 nm,其质量的好坏将直接影响电池片的输出效率,对薄膜的均匀性、致密度、容错率要求非常严苛,设备 技术难度大,壁垒高。
PECVD根据等离子发射源的运作情况,可分为动态
。
中国自行研制的超导托卡马克受控核聚变装置(EAST)与美国NIF实现聚变的方式不同。目前托卡马克实现了磁束缚等离子体和中心温度1亿度,下一个目标是维持束缚,且达到1亿度维持1000秒。
位于法国南部的
通力合作ITER。ITER装置主机最重要部分之一的PF6线圈,由中科院合肥研究院等离子体所承担研制并于近日正式交付,为ITER计划2025年第一次等离子体放电的重大工程节点奠定了重要基础。
(四)高性能
电池材料,其上层电池材料最优的带隙大约在 1.65-1.7eV 左右。考虑到光学损失及光致次带隙等各种因素,钙钛矿材料是优选的材料。
钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池的工作原理是利用不同的带隙吸收不同的
底电池的更优选择。理论上底电池可以采用 P 型电池或 N 型电池,但都需要在顶电池形成隧穿结以及一层(导电)光学层。底电池正面无需镀减反射膜,也无需金属化。由于底电池不导电,因此不适合采用标准
带电子;
2. 导带电子通过雪崩电离和焦耳加热吸收能量形成等离子体;
3. 等离子体通过电子声子耦合将能量传递给材料品格;
4. 品格被加热材料熔化、升华;
5. 物质的热扩散和声声冲击波引起
激光从扫描振镜输入端中心输入。
2.5光路清洁维护
1. 作用:保证光路上各镜头(片)的洁净度,决定了它们是否能够发挥本身的光学性能:比如透光率、反射率等等。光路系统的维护主要指各个光学镜头(片
等离子体能量分布相对集中且离化率更高,高能离子较少,表现出低离子损伤的优良特性。同等条件下,RPD 技术制备的 TCO 薄膜结构更加致密、结晶度更高、表面更加光滑、导电性更高、光学透过率更好1。此外
电池背表面 光反射,减少光损失,进而提高电池转换效率和电池性能。PERC 电池内部反射增强,有效降低了长波的光学损失, 背面钝化提升了开路电压和短路电流,使得电池转化效率相比传统 BSF 电池更高
上成本最高的部分称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统用在硅异质结(SHJ)技术上成为可能,并且最近已经由Hevel LLC实现。
SHJ太阳能电池的简单结构,结合其高效率和低温处理的优势,使
调整a-Si:H膜性质来实现。实际上,a-Si:H层通常是采用PECVD方法在接近200℃温度下的纯硅烷或硅烷氢混合物中的平行板电容耦合等离子体放电进行生长的。表面钝化的最关键工艺参数似乎是氢硅烷气体
效率的方法,考虑了新标准的太阳光谱、硅片光学性能、自由载流子吸收参数以及载流子复合与带隙变窄的影响,当硅片厚度为110m时,单晶硅太阳电池理论效率为29.43%。硅异质结(SHJ)太阳电池的模拟指出
的复合损失。
以上各种能量损失的途径可概括为光学损失(包括(1)、(2)和(3))和电学损失(包括(3)、(4)和(5))。为了提高太阳电池效率,需要同时降低光学损失和电学损失。降低光学损失的