等离子光学
材料，提高TCO导电薄膜的电导率，改善光学性能，提高透光率，降低制备成本并实现产业化，成为研究的热点。本文采用不同的技术手段进行TCO导电薄膜工艺参数对薄膜性能参数的影响分析，为提升异质结电池的转换效率
迁移率、较低的载流子浓度，因而能够在近红外区域获得较大透过率的同时保持较好的导电性能，它是一种新型TCO薄膜。影响IWO薄膜光学性能、电学性能的因素很多，本文主要研究了氧氩比(O2/Ar2)对IWO薄膜
出的、采用13.56MHz射频(RF)等离子体辉光放电技术制备的高效双面微晶异质结电池。13.56MHz射频技术已经经过多次验证非常适合规模量产高效双面微晶异质结太阳电池，该项技术可以实现大腔室
，并结合旗滨集团新一代双镀玻璃，有效提高了光学增益。同时，组件还进行了相应的结构和工艺优化，实现了电池高密度封装，再采用公司超低电阻率的电极连接专利技术，提升了异质结组件的电极连接可靠性，并且大大降低串
在于利用光在不同界面处的 反射进行干涉相消。当膜层的光学厚度为某一波长的 1/4 时，则利用光波 180°的
相位差可以进行叠加相消，氮化硅的折射率为 1.9，是最佳的电池减反膜材料。此外，氮化硅膜
，减少光学损失，金刚线切割硅片经过清洗制绒后表面反射率可从50%降低至 15%以下。(2) 扩散使用液态磷源(三氯氧磷)/硼源(硼酸三甲酯等)在高温作用下在硅片表面扩散沉积，主要作用是形成电池的 PN
波段的光谱响应;2) 改进了硅片背面的抛光工艺和激光开膜的结构，使该类太阳电池的光学损失达到了最小;3) 硅片越薄，生产过程中的碎片率就会越高，为有效降低碎片率，对该类太阳电池制备过程中的关键工艺
高，输出功率增大到一定程度后，激光辐照的掺杂区域的温度会瞬间升高并会超过阈值，导致掺杂区域的离化等离子体挥发，从而产生刻蚀凹槽现象，发射极因表面浓度降低而出现方阻值增大的情况。2.2 激光掺杂 SE 工艺对
建筑风格，全黑组件展示了光学与太阳能应用的完美结合，让建筑有了灵魂;中来率先攻克了N型技术，领先的N型TOPCon
2.0技术让组件转换效率更高，持续引领N型技术创新升级;尺寸方面，根据户用屋顶的
，基于线性等离子体技术，链式平台传输，无绕镀单面沉积，工艺简洁、高效。“经过持续的创新优化，目前中来的TOPCon
技术已经升级至2.0阶段，转换效率目标为23.5-25%，3.0时代很快到来，届时
电池片。开展钝化接触、异质结、全背接触等高效晶硅太阳电池技术的规模化量产，开发耐高湿高盐的海上光伏电池及组件技术。提升高效稳定钙钛矿-硅叠层太阳电池、碲化镉薄膜电池产业化能力。支持低反射率绒面制备、等离子
导电氧化物(TCO)导电玻璃镀膜设备、多靶位磁控溅射系统、多线切割机、自动分选机等硅片生产设备;多槽制绒清洗设备、激光刻蚀机、全自动大面积等离子增强化学气相沉积装备(PECVD)、干法刻蚀机
利用光在不同界面处的 反射进行干涉相消。当膜层的光学厚度为某一波长的 1/4 时，则利用光波 180的 相位差可以进行叠加相消，氮化硅的折射率为 1.9，是最佳的电池减反膜材料。此外，氮化硅膜在制备的
(单晶)，利用各向同行和各向异性原理对 硅片表面进行腐蚀，去除硅片表面机械损伤层;清除表面油污和金属杂质，形成 洁净表面;形成起伏不平的绒面，使入射光在表面进行多次反射和折射，延长光 程，减少光学损失
工艺设备，特别是板式PECVD设备，已接近成熟，将带动HBC电池工艺的成熟。HBC电池，能避开HJT电池前表面的金属电极光学遮挡和高电阻带来的效率损失，从而拥有比HJT电池更高的转换效率。
(3
，电耗偏高。而PECVD，凭借良好的质量和稳定性成为主流非晶硅薄膜沉积设备，特别在制备氢化非晶硅方面。
板式PECVD通过微波或射频波使腔室内的反应气体分子电离，形成的高化学活性等离子体，在基片表面发生
J-TOPCon 1.0。
2018年
2018年，公司率先实现了N型双面TOPCon电池的1.5 GW大规模量产，量产的平均转换效率达到22.5%。同年6月开始进行基于等离子氧化及等离子辅助原位掺杂
方法是采用高方阻的发射极来降低复合损失，搭配密栅(更小的栅线间距pitch)来降低载流子的横向传输损失;
2)降低背面的非理想光学损失，如采用更加薄的n+ poly降低自由载流子的吸收，通过改善背面
) 工艺沉积，而旋涂用于在吸收层上涂覆 PCBM。厚度为 200 微米的商用直拉生长 n 型晶体硅晶片用于异质结电池。通过簇系统中的等离子体增强化学气相沉积在电池上生长非晶硅层。
研究人员解释说，在
传统的四端钙钛矿/硅配置中，短波长范围内的太阳光谱被钙钛矿顶部子电池吸收，而剩余的光则被下面的硅异质结子电池吸收。然而，并非所有对应于底部子电池光学带隙的光子都能产生，他们进一步解释说。
在建议的
