等离子光学

限制而应用到产业化生产当中来。目前已经有多家国内外公司对外宣称到2008年年底其大规模产业化生产转换效率单晶将达到18%，多晶将超过17%。 2.1表面织构 减少入射光学损失是提高电池效率最直接方法
就是采用等离子刻蚀工艺的一个成功典范。 2.2发射区扩散 PN结特性决定了太阳能电池的性能!传统工艺对太阳能电池表面均匀掺杂，且为了减少接触电阻、提高电池带负载能力表面掺杂浓度较高。 但研究发现

而应用到产业化生产当中来。目前已经有多家国内外公司对外宣称到2008年年底其大规模产业化生产转换效率单晶将达到18%，多晶将超过17%。 2.1表面织构 减少入射光学损失是提高电池效率最直接方法
采用等离子刻蚀工艺的一个成功典范。 2.2发射区扩散 PN结特性决定了太阳能电池的性能！传统工艺对太阳能电池表面均匀掺杂，且为了减少接触电阻、提高电池带负载能力表面掺杂浓度较高。 但研究发现表面

化学家发现了一种新的更有效的方法来进行光致反应，提出了另一种可能利用太阳光产生能源的方法。《科学》杂志刊载了这种基于等离子体的新方法等离子体是金属的光学性质中表现出来的一种特别的电子运动
。《科学》杂志刊载了这种基于等离子体的新方法等离子体是金属的光学性质中表现出来的一种特别的电子运动。 我们发现了一种新的未曾料想的方法来利用金属等离子体性质，这在太阳能能量转化中拥有潜在的应用价值

太阳能电池。存在负电荷Al2O3的低电阻率P型硅通过良好的背钝化，转换效率已经达到 20.6%。其中最优工艺是30nm的Al2O3薄膜上覆盖着200nm通过等离子增强化学沉积（PECVD）的硅氧膜
（Al2O3）薄层在p型或n型硅表面提供了钝化良好的表面态。在低电阻率P型硅上已经证明了利用低温等离子的ALD 其SRVs13cm/s。氧化铝层中的固定负电荷密度导致P型c-Si表面存在一个累积层

Czochralski P型硅片，电阻率为1.50.5cm，覆盖着用加强等离子体化学蒸汽沉积的介质绝缘层。LCO（d1）可以用丝网印刷蚀刻膏来得到，其中包括的磷酸是一种有效的介质场的腐蚀剂，介质的腐蚀是通过在
由于刻蚀膏的扩散），丝网印刷后多出的20m的铝接触完全覆盖了背钝化和开缝。样品在烧结炉中烧结后会形成合金，3个发射峰值温度是：750℃、850℃和950℃。深灰色可见区域的宽度值可以用光学显微镜测量

等离子体化学蒸汽沉积的介质绝缘层。LCO（d1）可以用丝网印刷蚀刻膏来得到，其中包括的磷酸是一种有效的介质场的腐蚀剂，介质的腐蚀是通过在330℃的红外炉中加热硅片4min。干刻蚀膏会在几秒内在充满了
和开缝。样品在烧结炉中烧结后会形成合金，3个发射峰值温度是：750℃、850℃和950℃。深灰色可见区域的宽度值可以用光学显微镜测量。铝层可以用扫面电子显微镜（SEM）和能量色散谱/能量色散x射线来

摘要: 在所有的太阳能电池技术中，硅基异质结（HJT）太阳能电池最引人注目，因为其具有高的转换效率、简单的工艺流程和低的温度系数。在HJT太阳能电池的制造过程中，等离子增强化学气相沉积设备
表面复合速率和740mV的潜在开路电压(iVoc)值。另外，通过RPD设备沉积透明导电氧化层，可以同时得到优越的光学特性和电学特性，提升了器件的电流密度（Jsc）和填充因子（FF），这主要归功于其具有

等离子增强型化学气相沉积的方法沉积的薄膜厚度在70nm左右。这样厚度的薄膜具有光学的功能性。利用薄膜干涉原理，可以使光的反射大为减少，电池的短路电流和输出就有很大增加，效率也有相当的提高。6.7
生成易挥发的四氟化硅气体。若氢氟酸过量，反应生成的四氟化硅会进一步与氢氟酸反应生成可溶性的络和物六氟硅酸。6.5、等离子刻蚀由于在扩散过程中，即使采用背靠背扩散，硅片的所有表面包括边缘都将不可避免地扩散

全球首创的等离子体硅钛化处理技术和等离子体氟硅氧烷化处理技术，显著增加了PET和FFC的表面能和活性化学基团数量，使PET与FFC之间、FFC与EVA之间不但具有物理吸附，还产生化学分子的接枝，使得
年以上的户外严酷考验，表现出极佳的耐候性能。 同时，目前包括低温等离子体改性技术、辐照改性技术、真空等离子体化学接枝技术在内的材料表面改性技术已较为成熟。因此，将氟碳涂料、PET表面改性技术、氟

及铜锢硒薄膜电池等。 砷化镓(GaAs)III-V族化合物光伏电池的转换效率可达40%。GaAs化合物材料具有十分理想的光学带隙以及较高的吸收效率，抗辐照能力强，对热不敏感，适合于制造高效单结
薄膜电池进行光电转换，分别是第一、第二代太阳能利用技术，均已得到了广泛应用。 利用光学元件将太阳光汇聚后再进行利用发电的聚光太阳能技术，被认为是太阳能发电未来发展趋势的第三代技术