等离子光学

的发展营造了良好的环境。二是研发机构不断扩大，研发能力日益增强。中科院下属的物理研究所、化学研究所、电工研究所、半导体研究所、等离子物理研究所及广州能源研究所等从基础研究、技术研发、示范推广等方面围绕
应用研发，并把热利用专利技术进行产业化;2005年上海交通大学整合了太阳能研究所、燃料电池研究所、太阳能发电与制冷研究中心、光学工程研究所等相关研究机构，成立能源研究院，从事太阳能相关的技术研究与人

，然后烧结可以使N型层返回到P型。去周边用激光切割的方法或等离子体刻蚀法。激光切割可以在太阳电池电极印刷和烧结结束后进行。激光切割去周边时必须把激光束照在背电极上，而且不能让激光把硅片击穿，必须控制好激光
的强度和运行速度，才能做到去周边时对太阳电池的P-N结无影响。等离子体刻蚀法是目前在太阳电池制造业中应用得最多的一种方法，利用高频辉光放电手段将CF4离解成活性原子和自由基，各种游离基中F原子为主要的

、激光刻槽、等离子刻蚀（ＲＩＥ）和各向同性酸腐蚀。机械刻槽的工艺方法要求硅片厚度在２００ｍ以上，因为刻槽的深度一般在５０ｍ的量级上，所以对硅片的厚度要求很高，而这样的技术会增加成本。等离子刻蚀制备出硅片
、维护和发展方向。1晶体硅表面减反射及其制绒原理3.1．1晶体硅表面减反射原理在太阳电池中，其能量的损失有两种类型：光学损失和电学损失，其中光学损失主要体现以下３种方式：１．硅表面的反射损失，经处理的

索比光伏网讯:采用等离子体增强气相沉积法制备了双层氮化硅作为多晶硅太阳电池的减反膜，理论模拟了双层氮化硅的光学参数，实际测试情况和理论模拟吻合良好。电池IV参数表明双层氮化硅不但具有更佳的减反射效果
而且表面钝化效果也有所增强。批量试制结果显示电池转换效率提高了0.3%。1引言等离子增强气相沉积(PECVD)制备氢化非晶氮化硅(SiNx：H)已经成为工业太阳电池的标准工艺中一道工序。主要存在

文章（Feature Articles）。该论文首先提出了一种制备亚稳态纳米材料的普适性方法无接触相变方法。使用廉价的微米级颗粒作为原料，采用等离子体、火焰等高温束流加热并完全蒸发微米颗粒，蒸气在无接触
）、深紫外到中红外极宽波段内（0.25~11 m）的高透过率等优异光学特性。论文中进而把纳米非晶球组装成薄膜涂覆在太阳能电池Si片表面，测试表明能够显著减小入射光的反射损失（可减小53%），从而

引起光损失，短路电流损失，最多可高达7mA/cm2。挑战在于如何在效率和成本之间获得完美的平衡，还须考虑大规模工业生产。本文介绍两种可延长光学路径长度并因此提高外延薄膜硅太阳能电池效率的技术：等离子绒面
。但现在外延薄膜太阳能电池的主要缺点是它们的效率相对较低。已有两种技术表明能提高薄膜太阳能电池的效率。一是利用卤素原子等离子加工，优化上表面结构，另一种技术是在外延层/衬底界面处引入中间反射镜。优化的

索比光伏网讯:氮化硅膜作为晶体硅太阳能电池减反射钝化膜是目前太阳能电池制备的主流，然而由于用PECVD来制备的氮化硅膜，是以SixNyHz方式来表达的，其中的x,y,z的数值直接影响了膜的光学性能和
层流状态。1.2PECVD过程中的微观过程（1）气体分子与等离子体中的电子发生碰撞，产生出活性基团和离子。其中，形成离子的几率要低得多，因为分子离化过程所需的能量较高。（2）活性基团可以直接扩散到衬底

情况以及材料的属性。为此，弗洛维特团队使用了英国等离子探索有限公司研发的新奇沉积技术利用高靶溅射(HiTUS)来促进等离子溅射。氧化铪是一种电绝缘体，能被用于制造光学涂层、电容器以及晶体管等。因为氧化

制造高质量的电子材料时，却碰到了一个问题，即很难精确控制沉积过程的能量情况以及材料的属性。为此，弗洛维特团队使用了英国等离子探索有限公司研发的新奇沉积技术利用高靶溅射（HiTUS）来促进等离子溅射。氧化
铪是一种电绝缘体，能被用于制造光学涂层、电容器以及晶体管等。因为氧化铪的介电常数（电位移与产生电位移的电场密度之间的比率）比较高，而材料的介电常数越高，其存储电荷的能力越强，也就是说电容越大，有些公司

包括：①使用强关联电子体系材料的技术；②使用等离子体的技术；③使用波长转换材料的技术。这些技术都不局限于太阳能电池，还可以延伸到蓄电池、光LSI等新一代电子学和光学产品，是应用范围广泛的技术
显示出各自的效果。强关联电子体系材料是用于开发全新的太阳能电池的材料。与之相比，采用等离子体和波长转换技术有望使太阳能电池在原有技术的条件下提高转换效率。 ①强