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碲化镉是由碲和镉形成的结晶化合物,可用于制造红外光学镜片和太阳能电池材料。
同时,通用电气全球研发(G.E. Global Research)在其四个全球研发中心也在进行研究和开发活动,以便
)研发中心的技术专家对开发碲化镉组件所有的必需阶段进行研究,其中就包括:材料的增长、组件的研发以及健全的加工方法的研发。
这些专家拥有多领域的技术经验,例如:表面化学、激光处理方法以及等离子物理。这些
,虽然激光电镀原理、激光消融、等离子激光沉积和激光喷射等方面还在研究之中,但其技术已在使用。
通快的大功率CO2激光器及其三维加工系统、罗芬的Diffusion-Cooled CO2 Slab
了生活,点亮了科技,让这个工业时代也色彩斑斓了起来。
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LASER WORLD OF PHOTONICS CHINA和光学技术在线
。 下一页 余下全文 3.纳米结构半导体电极的光电能量转换九十年代以来随着纳米结构半导体材料的发展,为新一代光电转换材料的研究指明了方向。半导体纳米结构材料具有不同于体材料的一些光学、电学特性,对光
研究,并提出了很多方法。目前制备多晶硅薄膜电池多采用化学气相沉积法,包括低压化学气相沉积(LPCVD)和等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺。此外,液相外延法(LPPE)和溅射沉积法也可用来制备
家公司在生产该种电池产品。 非晶硅作为太阳能材料尽管是一种很好的电池材料,但由于其光学带隙为1.7eV, 使得材料本身对太阳辐射光谱的长波区域不敏感,这样一来就限制了非晶硅太阳能电池的转换效率。此外,其光电
)的新方法能简化金属薄膜的制程,而且只需要便宜的硅晶圆与黏着剂,因此有助于制造新型太阳能电池与其它等离子光学(plasmonic)组件。这项由明尼苏达大学的David Norris等人所发展的技术,是
显微术及自组装单膜层领域,但等离子光学研究社群中常用刻蚀而非剥离法来移除硅模版。硅晶圆模版是以离子束蚀刻法制作,刻蚀过程中等离子吸收的离子只会留在硅模版中,不会转移到沉积于模版上的金属薄膜。这种模版的
、自动化系统、焊带切割设备、停放台、装配线、组件装卸系统、
运送装置、焊剂熔化炉
薄膜电池光学检测系统、薄膜电池厚度测量器、薄膜电池成分检测器,、薄膜电池寿命分析器、
薄膜电池等离子体化学
、薄膜电池激光蚀刻设备、
薄膜电池等离子蚀刻设备、薄膜电池湿蚀刻设备
石墨坩埚、石英坩埚、陶瓷坩埚、锯带、砂浆、黑碳化硅、绿碳化硅、废砂浆、切割液体、锯线、
丝网、溅射靶材、真空泵
在等离子体中不够稳定,因此目前ITO镀膜已非光伏电池主流的电极玻璃。
SnO2镀膜也简称FTO,目前主要是用于生产建筑用Low-E玻璃。其导电性能比ITO略差,但具有成本相对较低,激光刻蚀容易
,光学性能适宜等优点。通过对普通Low-E的生产技术进行升级改进,制造出了导电性比普通Low-E好,并且带有雾度的产品。利用这一技术生产的TCO玻璃已经成为薄膜光伏电池的主流产品。
氧化锌基薄膜的
的硅材料短缺日益严重,使得人们加紧了硅基薄膜太阳能电池的研发。人们的主要目标是提高效率,提高稳定性,降低制造成本,其基本技术是使用PECVD(等离子增强化学气相淀积)技术沉积非晶硅或微晶硅薄膜,衬底是
光学和电学特性,尤其难的是在大规模生产状态下能否很好地控制产品的重复性和一致性,这成为制约这种电池发展的关键所在。另一个问题是,由于该种电池的原材料In和Ga都属于稀有金属材料,地球含量较低,这就导致在
的不断扩大,以及由此造成的硅材料短缺日益严重,使得人们加紧了硅基薄膜太阳能电池的研发。人们的主要目标是提高效率,提高稳定性,降低制造成本,其基本技术是使用PECVD(等离子增强化学气相淀积)技术沉积
最好的光电效应,因此很难控制成膜后的光学和电学特性,尤其难的是在大规模生产状态下能否很好地控制产品的重复性和一致性,这成为制约这种电池发展的关键所在。另一个问题是,由于该种电池的原材料In和Ga都属于
,仅20μm厚的活性层的光学表现为40μm厚。 利用基于氟的等离子处理,仅会去除极少量的硅(仅1,75μm),就可获得表现出朗伯折射的理想上表面。这对于外延薄膜硅太阳能电池极为重要,因为这种类型的
。但现在外延薄膜太阳能电池的主要缺点是它们的效率相对较低。已有两种技术表明能提高薄膜太阳能电池的效率。一是利用卤素原子等离子加工,优化上表面结构,另一种技术是在外延层/衬底界面处引入中间反射镜。优化的