等离子光学

马德里光学研究所的Javier Garcia de Abajo与法国及英国的同事证明，当局域化等离子共振发生在特别设计的金属表面时，此金属表面可呈现全方向光吸收的特性，并在金的纳米多孔性样本上证实此效应
许多应用如光学互连(optical interconnects)、发光光源以及微光学组件的屏敝等都需要效率更高的吸光材料，尤其是在各方向都有高吸收率的材料，不过这类材料并不容易制作。最近

，得出了集热管膜层的表面微粒结构、化合物成分和光学性能之间的关系。对四层金属－介质膜层进行优化设置，使不同金属含量膜层界面间产生最大消光干涉，膜层性能指标可以达到吸收比αs＝0．96、发射比εh
系统，等离子减反喷涂技术等，均是国内乃至国际领先的先进技术，使得产品牢牢把握了市场主动权。 “通过以上技术创新，使集热管生产效率大为提高，生产成本降低0．66元／支，竞争力显著增强，市场占有率提高至

±77.8%）。然而，短路电流（Jsc ）受限于薄的光学有源层（20mm）。穿透外延层的光会被高掺杂、低质量的衬底收集而损失掉。因此，这两种太阳能电池技术之间的短路电流相差7 mA/cm2并不少见。体硅
丝网印刷外延电池的Jsc达到30 mA/cm2，效率达到13.8%。 　　对这些结果有贡献的第一项改进是采用氟基等离子体粗糙处理得到的表面光散射（图3）。理想情况下，这种经过粗糙处理的有源层表面会使光

主要因素是构成凝聚态的原子短程结构，即最近邻的原子配位情况。从1960年起，人们开始致力于制备a一Si和a一Ge薄膜材料。早先采用的方法主要是溅射法。同时有人系统地研究了这些薄膜的光学特性。1965年斯特
林等人第一次采用辉光放电（GD）或等离子体增强化学气相沉积（简为PECVD）制备了氢化无定形硅（a一Si：H）薄膜。这种方法采用射频（直流）电磁场激励低压硅烷等气体，辉光放电化学分解，在衬底上形成a七

目前，制备多晶硅薄膜的工艺方法主要有以下几种： （１）化学气相乘积法（ＣＶＤ法） （２）等离子体增强化学气相沉积法（ＰＥＣＶＤ法） （３）液相外延法（ＬＰＥ） （４）等离子体溅射沉积法
领先水平。 等离子增强化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）法是利用ＰＥＣＶＤ技术在非硅衬底上制备晶粒较小的多晶硅薄膜的一种方法。该薄膜是一种Ｐ－Ｉ－Ｎ结构，主要特点是在Ｐ层和Ｎ层之间有一层较厚的多晶硅

具有纤锌矿结构，是直接带隙材料，带隙较宽，为2.42eV。实验证明，由于CdS层吸收的光谱损失不仅与CdS薄膜的厚度有关，还与薄膜形成的方式有关。 1.2 CdS薄膜光学性质 CdS薄膜
亲和势为4.58eV，与CdS的电子亲和势（4.50eV）相差很小（0.08eV），这使得它们形成的异质结没有导带尖峰，降低了光生载流子的势垒。 2.2 CulnSe2材料的光学性质

凝聚态的原子短程结构，即最近邻的原子配位情况。从1960年起，人们开始致力于制备a一Si和a一Ge薄膜材料。早先采用的方法主要是溅射法。同时有人系统地研究了这些薄膜的光学特性。1965年斯特林等人第一次
采用辉光放电（GD）或等离子体增强化学气相沉积（简为PECVD）制备了氢化无定形硅（a一Si：H）薄膜。这种方法采用射频（直流）电磁场激励低压硅烷等气体，辉光放电化学分解，在衬底上形成a七i薄膜。开始