表面等离子
一种全新的局域相位调制异质结构，它能够对 PSCs
产生上述效果。在该结构中，我们将大量新开发的有机半导体(CY 分子)掺入整个钙钛矿晶格以及其表面和晶界。这种局域相位调制异质结构 PSCs 实现了
掺入钙钛矿晶格、表面及晶界，而非仅作为表面 / 晶界添加剂，实现缺陷钝化、能级调制、晶格调整及晶相调控。3. 光伏性能表征小面积电池性能(n-i-p 结构：FTO/TiO₂/FAPbI
7.998 nm(AFM)。器件制备一、基底清洗与预处理ITO 玻璃清洗步骤：依次用去离子水、丙酮、乙醇超声清洗各 20 分钟，干燥后进行等离子体处理。参数：等离子体处理时间 10 分钟，优化表面
·s)、能量为5 eV)、等离子体(电子密度106/cm3、电子温度≤1
eV)和电子、质子、微流星体的电离辐射速度(60 km/s)、X射线和轨道碎片(10 km/s)
等，如下图所示。为了
平流层气球中，发现其性能有了明显的下降，PSCs表面出现了分解现象。但是在第13次(2019年)、第15次(2021年)材料国际空间站实验任务(MISSE-13、MISSE-15)中，NASA将钙钛矿
太阳能电池中主要来自原子层沉积(ALD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)或低压化学气相沉积(LPCVD)等镀膜技术在沉积薄膜的过程中引入的源气体，其不同的沉积参数会显著影响氢的浓度和扩散行为。研究
：氢能够钝化硅体缺陷和表面缺陷，减少载流子复合，从而提高电池效率。例如，氢可以与硼-氧复合体结合，显著提升电池的初始性能。负面影响：氢过量时，会引发两种降解现象：光致和高温诱导降解(LeTID)：在光照
溶于1 mL DMF/DMSO混合溶剂(体积比9:1)，70℃搅拌过夜。有机胺盐溶液：按FAI:MACl质量比90 mg:15 mg溶于异丙醇(IPA)，70℃搅拌30分钟。表面钝化层溶液：5 mg
洗涤剂擦洗，去离子水、丙酮、异丙醇各超声清洗25分钟，干燥后氧等离子处理5分钟。SnO₂电子传输层：2. 旋涂SnO₂胶体(4000 rpm，30秒)，空气氛围150℃退火30分钟，冷却至室温后转
太阳能电池的世界纪录!这一突破为光伏技术的商业化应用注入了新动力。一、传统瓶颈：非晶硅的“拖后腿”硅异质结(SHJ)电池因优异的表面钝化能力，一直是高效太阳能技术的代表。但其核心问题在于空穴传输层——传统
、隆基的破局之道：纳米晶硅+透明导电层研究团队用p型纳米晶硅(p-nc-Si:H)替代传统非晶硅，并优化透明导电氧化物(TCO)层，实现三大突破：1. 导电性飙升4个数量级纳米晶硅结构：通过等离子体化学
2025年2月10日武汉大学肖旭东&宫俊波于AM刊发反应性等离子体沉积ITO作为反式钙钛矿太阳能电池的有效缓冲层的研究成果，本研究展示了反应性等离子体沉积(RPD)在制造氧化铟锡(ITO)方面作为
的 1.252 V开路电压，从而实现了0.418 V的极低开压损失，这归因于电子提取的改善、界面缺陷的减少和表面复合的抑制。在88
°C下热老化1023 小时后，电池仍保持其初始效率的90%以上
) 阵列结合到透明银电极中可抑制正面阳光的逃逸，而不会牺牲反照光的收集。通过在电子传输层中掺杂有机发射极并将高介电常数膜覆盖为银，可进一步降低由 AOT 电极中表面等离子体激发引起的寄生吸收。后电极实现
。这一步骤中，RF电源将硅烷、氢气等工艺气体激发为等离子体态，并使其相互反应，最终以薄膜形式沉积在硅片上。(6)PVD镀膜：在电池表面沉积TCO透明导电氧化薄膜，利用磁控溅射原理，将TCO材料以薄膜形式均匀
的方式切割硅片，以保护N型硅片膜层，确保切割质量和效率。(2)链式清洗：将切割好的硅片放入氢氧化钾清洗液中进行深度清洁，随后进行酸洗，彻底去除硅片表面的杂质和污染物，为后续工艺奠定基础。(3)链式吸杂
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Contact(背接触)电池，是当前各类背接触结构晶硅太阳能电池的泛称。主要包括IBC、HBC、TBC、ABC、HPBC等。来源：pixabayBC电池的原理主要是其表面没有栅线，正负极采用
金字塔熔化明显VS紫外飞秒金字塔形貌基本不变图2 绿光皮秒(a)、绿光飞秒(b)、紫外飞秒(c)刻蚀绒面氮化硅膜层SEM图像从图中对比可以看出飞秒激光对金字塔的形貌保存有明显优势纳/皮秒刻蚀对硅基底表面
