氮化硅
贡献则是不显著的，甚至无主栅技术对于PERC电池而言几乎是没有经济性可言的。之所以如此，原因有二：(1)PERC电池的表面是不导电的氮化硅层，高温银浆主栅在烧结过程中须烧穿该层而进入到扩散层，深入到
硅硅锰、氮化硅铁、硅钙合金、硅钡铝合金等硅系铁合金，以及低硒锰片、脱氢锰片、氮化锰、低硫锰片、低氧化锰片)的开发及生产 6.符合国家重要用途钢丝绳标准(GB8918-2006)、直径在20-60mm
。 《科创板日报》记者了解到，增加背钝化层，可以降低背表面符合，提高背内面反射率，而常用的介质钝化材料除了氧化铝外，还包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅，其中氧化铝薄膜生长及工艺率先取得突破。 据了解，至
SOL6700B主栅的组合在客户端也得到了广泛的认可。
图6. 分步印刷示意图
SOL6700B 独特的非接触型设计，使浆料对氮化硅或氧化铝钝化层的腐蚀非常低。EL的图示也显示出新的
SOL6700B对氮化硅的刻蚀更为微弱，从而有效提升开路电压。
图7. SOL6700B 非接触型设计带来显著的效率增益
随着客户端对主栅单耗的降低越来越明显，单耗的降低意味着对拉力的挑战
相对大。
b. 使用检测设备：用EL-C;
c. 分析判断方法：
使用破坏测试，先沿着栅线处断开，然后用EL-C 测试栅线与氮化硅膜接触面，利用图象来分析判断，如果栅线内部结合不紧凑有空
;对于方阻小的就要进行破坏测试，先去除氮化硅膜，然后测试方阻来确定;
2.15 湿刻过刻
测试指标表现为：短路电流偏小、串联电阻偏大、并联电阻偏小、暗电流偏大;
a. 备注说明：正常
覆盖一层氮化硅膜作为保护层。为使背面金属电极与硅形成良好的欧姆接触，需要对钝化层进行刻蚀，目前主流工艺采用激光开槽的方式来完成这一工序。
PERC 技术日趋成熟
以及特殊的边缘隔离，提升了制造的成本和复杂性，而离子注入可实现单面掺杂，均匀性好，可简化制造流程。表 面钝化方面，背表面采用氧化硅/氮化硅叠层钝化膜可以起到良好的表面钝化和场钝化效果，正表面使用
的磷扩散机台)，就可以完成Topcon电池正面氧化铝/氮化硅 ,背面遂穿氧化层/多晶硅与氮化硅的钝化。体现了该设备优异的整合能力与生产的可调度性。固定资产投入具备竞争力，同时工艺路线也可简化与控制
)，就可以完成Topcon电池正面氧化铝/氮化硅 ,背面遂穿氧化层/多晶硅与氮化硅的钝化。体现了该设备优异的整合能力与生产的可调度性。固定资产投入具备竞争力，同时工艺路线也可简化与控制。 该设备平台
定的状态。这是粉末系统在高温下能烧结成密实结构的原因。
4.2 烧结目的
a. 燃尽金属浆料中的有机成分;
b. 烧穿绝缘的氮化硅膜，使浆料中的金属和硅熔融合金，形成欧姆接触;
c. 对经过
等离子轰击的硅片退火，激活掺杂的原子，消除晶格损伤;
d. 激活氮化硅膜(SiNx.H)中的氢离子，使之钝化硅片内部晶格缺陷。
4.3 正银烧结效果图
4.4 背场烧结效果图
黑硅PERC 多晶太阳电池采用背抛光工艺，其背面刻蚀深度在4.00.2 m，在800～1050 nm的光学波长范围内，其反射率较常规刻蚀制备的黑硅多晶太阳电池提升了10% 左右;采用氧化铝及氮化硅
& Rau SiNA XXL 平板式镀膜设备制备厚度为84～88 nm 的正面氮化硅膜和厚度为130～140 nm 的背面氮化硅膜，折射率范围为2.08～2.10，背面氮化硅膜较厚是因为需要避免铝浆中的
