氮化硅

、PECVD 沉积氮化硅膜、丝网印刷等工序。其中大部分设备可以和 perc+se 产线共用，只需要额外增加硼扩散、LPCVD 沉积(隧道结制备环节)、离子注入(或者扩散装备)和去绕镀清洗环节设备，便可

，目标于上半年质量达标，并开始带来收入贡献，产品能供应予需高质量单、多晶硅片用料市场。此外，该集团拟借助氮化硅、氧化锆和有机硅等材料与多晶硅生产的产业协同效应，发展绿色低碳循环经济，发展硅基和锆基等产业链

156.75156.750.25mm或1571570.25mm，厚度不低于200微米。除此之外，电池片还必须经过等离子体增强，化学蒸汽沉积氮化硅作为防反射涂层。 参与投标的制造商电池片的年产能不能低于100MW，而且必须在过去的两年

156.75156.750.25mm或1571570.25mm，最小厚度为200微米。该设备还必须具有经过等离子体处理的化学气相沉积氮化硅作为抗反射涂层。 为了符合条件，制造商应具有至少100MW的年晶体硅太阳能电池

相比， PERC 电池背面增加了氧化铝 AlOx，氧化硅 SiOx 和氮化硅 SiNx 等钝化叠层， 因此电池的表面复合速率大大的降低，电池的开压 VOC 可以提升 15-20mV。而且，由于背面钝化
钝化镀层与 钝化层激光开槽两道工序。其中背面钝化镀层包括氧化铝镀层与氮化硅镀层， 市场中存在两种技术路线，一是采用 PECVD+PECVD 两台设备，代表厂商为 捷佳伟创;二是用

，成本仍然较高。HJT技术具有较高的壁垒，比当年PERC工艺技术跨度更大。HJT非晶硅膜要求是3/6nm，而PERC要求氧化铝/氮化硅厚度为20-80nm，尽管也有厚度要求，更多是出于节省材料考虑，即使

实现了微硅粉和硅泥的循环再利用。其中，微硅粉可用来做建筑耐火材料，硅泥可用来做氮化硅耐火材料等。 以上技术的突破为大规模副产物循环利用奠定了坚实的基础，也为产业绿色发展提供了支撑。

PERC电池制造工艺 爱旭科技PERC双面电池通过热氧化工艺，在硅片正面生成致密的SiOx薄膜层，结合高折射率的氮化硅减反膜，可以有效地阻隔金属离子，提高正面抗PID性能;针对更为棘手的背面PID问题

，本届会议上主办方共公布了近900个顶级国际演讲计划，让所有参会嘉宾及企业乃至整个行业都更能深入了解光伏太阳能领域的最新研究成果。 腾晖研究成果亮相EU PVSEC 腾晖光伏携氧化硅-氮化硅

。这就需要各种化学方法去掉氮化硅、金属电极、发射极和背电场。具体的搭配可能是氢氟酸、硝酸、氢氧化钠、氢氧化钾等等。现实再次骨感了一把人算不如天算，随着技术的发展和降本的要求，硅片的厚度从300微米降到