氮化硅

具有高质量，致密无针孔的特性，可以有效阻挡氮化硅薄膜中的氢原子向电池内部的扩散，从而减少LeTID衰减。 江苏微导CTO黎微明博士指出，ALD钝化效果优异，量产性能稳定，并且在当前多种技术路线中生

得出结论，ALD和PECVD镀膜技术在降低LeTID衰减中的有着明显不同的表现。根据新南威尔士大学的分析，其原因在于ALD 三氧化二铝薄膜具有高质量，致密无针孔的特性，可以有效阻挡氮化硅薄膜中的

的分析，其原因在于ALD 三氧化二铝薄膜具有高质量，致密无针孔的特性，可以有效阻挡氮化硅薄膜中的氢原子向电池内部的扩散，从而减少LeTID衰减。而PECVD氧化铝薄膜由于存在较多缺陷和针孔，无法阻挡

、捷佳创低压扩散炉; 三是边缘刻蚀和去磷硅玻璃，此环节需要仪器SCHMID刻蚀机、SCHMID自动动化仪器; 四是背钝化在硅片背面沉积三氧化二铝膜和氮化硅膜，此环节需仪器MeyerBurger的
一体机式镀膜机、罗博特科自动化仪器; 五是PECVD正面沉积氮化硅膜，在该工艺流程中所使用到主要仪器包括CT管式镀膜机、Baumann自动化; 六是背面激光开孔实现背面浆料与硅材料局部接触，该工艺

。 使用POE封装的光伏组件背面更易出现PID现象是因为双面PERC电池片正面为化学钝化, 其氮化硅中含有高密度的固定正电荷, 对Na+有一定的排斥作用, 会减弱一部分Na+的富集;但是其背面为场钝化

效率。沈维根等在坩埚底部分别制备硅粉、无机陶瓷胶的混合物涂层和氮化硅粉、无机硅溶胶、去离子水的混合物涂层，制成的太阳能电池转换效率也得到提升。王梓旭等发现采用掺钡高纯隔离层能有效阻挡杂质污染硅锭，改善铸锭中

通过调节氮化硅减反膜厚度可制备出呈现各种颜色的彩色多晶硅太阳电池，但如何获得良好欧姆接触及拉脱力的电极是彩色多晶硅太阳电池制备的难点。本文通过在常规工艺路径基础上增加腐蚀开槽工艺解决了电极性能问题
硅片正面沉积蓝色、金黄色、紫红色和绿色的氮化硅减反膜，并通过腐蚀去除印刷区域一定厚度的氮化硅减反膜，然后清洗和甩干，再经过印刷烧结，分别制得蓝色、金黄色、紫红色、绿色共4 种颜色的彩色多晶硅太阳电池

情况下低于正面发电量的20%，所以爱旭科技将双面双测双分档电池档位标准定为：正面转化效率差异0.1%，背面转化效率差异0.5%为一档;同时，爱旭科技双面电池通过工艺创新，增加了正背面氮化硅膜的折射率和致密

覆盖改为用铝浆在背面印刷与正面类似的细栅格，并对钝化膜中的氮化硅膜层及激光开孔部分做一些优化。设备方面，需提高背面电极栅格印刷设备及激光设备的精度。发电增益方面，P型PERC双面因子仅60%-80

刻蚀和边缘隔离、背面沉积氧化铝、双面沉积氮化硅、背面钝化激光开槽、丝网印刷、烧结、分选。 其大部分工艺与常规铝背场工艺相同，新增背面钝化镀层与激光开槽两道工序。 目前PERC电池片