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氮化硅
区域提高电池的开路电压，从而提高转换效率。topcon比perc多了哪几道工序TopCon相比PERC多了3道工序，分别是制结、镀膜和掩膜。其中制结是在PERC制绒清洗之后增加的一道工序，镀膜和掩膜分别在制作氧化硅层和氮化硅层之后增加的工序。
非晶硅(n-a-Si:H)层，然后在900oC退火后将其转化为nPoly-Si层。制造P型衬底：使用氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)等材料制造P型衬底，作为下一步生长n-a-Si层的支撑。生长P
TOPCon电池是一种新型的高效太阳能电池，其制备工艺包括清洗制绒、正面硼扩散、刻蚀去硼硅玻璃(BSG)和背结、氧化层钝化接触制备、正面氧化铝/氮化硅沉积、背面氮化硅沉积、丝网印刷、烧结和测试。在这
个制备过程中，TOPCon电池的核心工序是正面氧化铝/氮化硅沉积和背面氮化硅沉积。正面氧化铝/氮化硅沉积是通过丝网印刷和烧结来完成的，而背面氮化硅沉积是在水分蒸发之后自动进行的。最后，通过测试和筛选
为nPoly-Si层。4、制造P型衬底：使用氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)等材料制造P型衬底，作为下一步生长n-a-Si层的支撑。5、生长P型层：在P型衬底上使用氧化还原法生长一层高质量的
低温非晶硅薄膜、柔性OLED显示所需低温氮化硅薄膜以及光学等其他行业所需的微电子薄膜。昶火微科致力于开发半导体硅基纳米薄膜生长工艺解决方案，是国内专注于大面积平板镀膜装备研发制造企业。公司在基于大面积
、氧化层钝化接触制备、正面氧化铝沉积、正背面氮化硅沉积、丝网印刷、烧结和测试分选，约12步左右。其中，氧化层钝接结构制备为TOPCon在PERC的基础上增加的主要工序，也是TOPCon的核心工序，工艺路线
与钙钛矿的工艺亲和力更好，更适合制备叠层电池。公开研报显示，由于异质结电池表面本身就是TCO，产线无需做更改；而Topcon正面的氮化硅和氧化铝是绝缘体不能导电，需要先把氧化铝和氮化硅去掉，或加入
交通工具部件、风电叶片芯材、建筑建材等领域）126.精密高性能陶瓷原料生产：碳化硅（SiC）超细粉体（纯度＞99%，平均粒径＜1μm）、氮化硅（Si3N4）超细粉体（纯度＞99%，平均粒径＜1μm
包括氮化硅膜，氧化铝膜，二氧化硅膜，非晶硅膜，透明导电膜 等。PERC，TOPcon，HJT，P-IBC 等电池技术通过使用不同的膜层来达到提效
目的。氮化硅膜：减反作用和钝化作用。减反射膜原理
在于利用光在不同界面处的 反射进行干涉相消。当膜层的光学厚度为某一波长的 1/4 时，则利用光波 180°的
相位差可以进行叠加相消，氮化硅的折射率为 1.9，是最佳的电池减反膜材料。此外，氮化硅膜
没有碎屑、微裂纹、针孔、金属印刷线的不连续性以及颜色不一致。光伏电池还应具有均匀的氮化硅涂层，并且没有颜色变化。光伏电池的包装应以100个电池为单位或按照光伏组件供应商的标准尺寸包装。只有拥有原始设备
