氮化硅
二铝和氮化硅作为背 反射器，增加长波光的吸收，同时增大P-N极间的电势差，降低电子复合，提升光电转换效率，还可以做成双面电池。随着工艺成熟，设备国产化和成本降低， 逐渐成为市场
,还能起到像晶硅电池上氮化硅层那样的减反作用。最后通过丝网印刷在两侧的顶层形成金属基电极,这就是异质结电池的典型结构。HJT 电池的结构和工艺与常规硅基太阳电池有很大的区别,总的来说, HJT
计，具有优异的附着力和较宽的焊接工艺窗口，能够实现更好的印刷效果和细线性能。其低反应活性对氮化硅(SiNx)和氧化铝/氮化硅(AlOx/SiNx)钝化层起到很好的保护作用。此外，该银浆还具有较高的开路
而设计，具有优异的附着力和较宽的焊接工艺窗口，能够实现更好的印刷效果和细线性能。其低反应活性对氮化硅(SiNx)和氧化铝/氮化硅(AlOx/SiNx)钝化层起到很好的保护作用。此外，该银浆还具有较高的
，从而导致损耗。短路电流密度。 外部量子效率测量显示2.0 2.0 cm2电池的效率超过22%。，通过氮化硅(SiNx)层取代TCO层，可以获得0.99 mA/cm2的电流增益，研究人员总结道。在这个设计中，SHJ太阳能电池对铟的依赖得到了缓解，同时可以避免TCO层的透明度和导电性之间的设计冲突。
硅 SiOx 和氮化硅 SiNx 等钝化叠层， 因此电池的表面复合速率大大的降低，电池的开压 VOC 可以提升 15-20mV。而且，由于背面钝化层可以增加光学内反射作用，因此电池的电流 ISC 也会有显著
;对于RPD工艺路线，新型ICO靶材载子迁移率可达50-150cm2/Vs，高于IWO的40-80cm2/Vs，有望大大优化薄膜性能。此外，研究者发现将TCO膜的厚度减为1/3~1/2，并覆盖以氮化硅
奏效。学者们解释道。
其制造工艺包括通过原位掺硼多晶硅层低压化学气相沉积法(LPCVD)形成p型后触点。工艺步骤还包括高温退火并通过等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)在电池的两侧应用氮化硅
额外的成本，因为必须使用另一种PECVD工具来两次沉积后氮化硅(SiNx)层。我们尚未尽全力使背面的初始SiNx层在高温下保持稳定，因此实现这一点可以在保持该层的同时降低成本。
就太阳能电池而言，这个
、正表面氮化硅薄膜钝化、铝背场、钝化发射极和背面电池技术、量子隧穿氧化层钝化接触等。 目前行业中占绝对主流的电池以P型电池为主，其主要特征是电池的正负电极分别位于电池的不同面(正面或背面)。MWT背
电池的表面是不导电的氮化硅层，高温银浆主栅在烧结过程中须烧穿该层而进入到扩散层，深入到电池片内部这一部分银浆是无法通过无主栅技术所节省的;而对于HJT电池而言，电池片表面是导电的TCO层，低温银浆主栅
