氮化硅

的细栅格，并对钝化膜中的氮化硅膜层及激光开孔部分做一些优化。设备方面，需提高背面电极栅格印刷设备及激光设备的精度。发电增益方面，p-PERC双面因子仅60%-80%，略低于其他技术路线，主要是因为铝栅格

摘要:研究了在真空与氮气两种环境中不同的退火温度和退火时间对氮化膜薄膜性能影响，测试了退火后氮化硅薄膜的膜厚、折射率、少子寿命以及电性能参数。结果表明，多晶硅管式PECVD真空退火环境优于氮气，并
环境更有利于高折射率的获得。此外，还就膜厚和折射率随温度、环境变化的情况进行了详细的讨论。 1引言 氮化硅薄膜制备在太阳能电池生产中起着减少硅片表面的反射、进而增加光的利用率的作用，是晶体硅

通过不同现象可分为：条状、团状、氮化硅磨伤、线状四种类型，如图1所示。 1.2不良比例分布 通过对Z公司电池车间ABC车间的2015年7月-12月划伤进行统计，具体数据如图2所示。划伤平均
比例0.66%,其中条状和团状、氮化硅磨伤比例较高，分别为0.34%,0.13%,0.14%。 2 划伤产生的原因研究 2.1原因分析 通过以上划伤图片和数据，可看出： (1)条状

理想的减反射膜材料。而且，钝化膜制备过程中还能对硅片产生氢钝化的作用，能显著改善硅太阳电池的光电效率。 在实际的晶体硅太阳能电池工艺中，氮化硅薄膜作为一种常见的钝化膜，其折射率在1.8～2.5，因此
如果将氮化硅作为前表面钝化膜，并将其折射率控制在2.0左右，既能起到很好的钝化作用又能起到较好的减反射效果。 3 表面钝化膜制备方法及动态 3.1等离子体增强化学气相沉积法 等离子体增强

摘要:利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法沉积给定折射率的氮化硅薄膜,通过正交实验法对衬底温度、NH3流量和射频功率3个对氮化硅薄膜沉积速率影响较大的工艺参数进行全局优化和调整,得到了氮化硅

玛雅设备来制备Al2O3/SixNy薄膜与背面保护氮化硅薄膜，高频信号发生器频率为13.56GHz。所用气体为三甲基铝(TMA)、高纯氩气、高纯氨气和高纯硅烷，实验时反应气体直接通入反应腔体内，反应
腔体压力为10～30Pa，反应温度为300～400℃。正面氮化硅使用中国电子科技集团公司第四十八研究所PECVD设备制备，高频信号发生器频率为40kHz。采用西安隆基M2单晶硅片。使用Sinton公司的

有两条主栅和多条细栅平行排列在镀有氮化硅减反膜的N型半导体上，为减小遮光效应和获得较小线阻，要求线宽要小，线高要大，附着力和电导性能优良。而在实际生产中，印刷后栅线是有限制的，烧结后50m宽、20m高
%~35%)，形状一般是球形或片状晶体，0.1~5.0m粒径，有研究称纳米级银粉与微米级银粉混合使用可降低烧结温度提高附着力。少量无机添加剂玻璃粉用于烧结过程中烧穿氮化硅减反膜，烧结后在银和硅之间形成

优化的重中之重。从早期的仅有背电场钝化，到正面氮化硅钝化，再到背面引入诸如氧化硅、氧化铝、氮化硅等介质层的钝化局部开孔接触的PERC设计。PERC概念的核心就在于为常规光伏电池增加全覆盖的背面钝化膜
，氧化硅(SiO2)、氮氧化硅等也可作为背面钝化材料。 此外，为了完全满足背面钝化条件，还需要在氧化铝表面覆一层氮化硅(SiNx)，以保护背部钝化膜，并保证电池背面的光学性能。故PERC电池背面钝化多