氮化硅
带领下认识液压、传动、轴承、冷却、真空、加热、张力等各种各样我这样的纯理科生从未见过的机械系统和装置，摸索硅料、母合金、坩埚、氮化硅、钢线、锯条、磨头、胶水、玻璃、砂浆、清洗剂等各种各样的物料，了解配料
复合速率，提高硅片少子寿命。2 Al2O3厚度对电池特性的影响
采用梅耶博格公司的玛雅2.1设备来制备Al2O3/SixNy薄膜与背面保护氮化硅薄膜，高频信号发生器频率为13.56GHz。所用气体
为三甲基铝(TMA)、高纯氩气、高纯氨气和高纯硅烷，实验时反应气体直接通入反应腔体内，反应腔体压力为10～30Pa，反应温度为300～400℃。正面氮化硅使用中国电子科技集团公司第四十八研究所
;氮氧化硅(SiONx)早期Solar Word以及现在的爱旭、润阳等;氧化铝(AlOx)现在主流厂家都采用氧化铝和氮化硅叠层膜的背钝化膜结构。
氧化铝和氮化硅叠层膜叠层结构作为P型PERC背面
钝化膜的优势，主要体现在三个方面。
氧化铝具有较高的固定负电荷密度Q10E13/cm3，可以得到优异的场钝化效果;氮化硅膜富含氢原子，可以在热处理过程中对表面和体内的缺陷进行化学钝化;氧化铝薄膜带隙
;
- 建立标准二极管模型，发现开路电压下降的主要因素是SRH复合增加;
- 结合长期以来的报道，基本事实得到了澄清：氮化硅/硅界面受到了破坏，导致了氢钝化效果下降，硅悬挂键增多，表面复合增加
。
- 经过计算，想要解开氢-硅的键合，需要的光能刚好在300多纳米的位置，正好在紫外区。证据链的最后一环终于找到了：紫外线导致的氮化硅钝化效果下降正是罪魁祸首!
经过计算，高紫外透光组件的红利
Tempress扩散炉、R2D自动化、捷佳创低压扩散炉;三是边缘刻蚀和去磷硅玻璃，此环节需要仪器SCHMID刻蚀机、SCHMID自动动化仪器;四是背钝化在硅片背面沉积三氧化二铝膜和氮化硅膜，此环节需
仪器MeyerBurger的一体机式镀膜机、罗博特科自动化仪器;五是PECVD正面沉积氮化硅膜，在该工艺流程中所使用到主要仪器包括CT管式镀膜机、Baumann自动化;六是背面激光开孔实现背面浆料与
此次获奖专利，首次提出了一种抗PID晶体硅太阳能电池的制作方法。本专利通过臭氧氧化的工艺，在硅基底与氮化硅之间迅速的生成一层薄而致密的氧化硅层，该氧化硅层既满足抗PID的需求，又避免了氧化硅层过厚带来
容易发生。关于防止PID现象发生的措施，可以通过在系统端阵列负极接地、夜间阵列加正向电压恢复以及安装微型逆变器；亦或是在组件端，通过采用绝缘性能好的封装材料；还可以在电池端适当调整氮化硅膜折射率。PID
钝化和局部铝背场）工艺技术。PERC工艺采用原子层沉积(ALD)或等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺，在硅片背面形成氧化铝膜层，然后再在该膜基础上生长一层氮化硅膜进行保护。通过在背钝化膜层采用
。PECVD 氮化硅取代了从前的APCVD 二氧化钛;连续自动化三道丝网印刷机取代了以往的手工印刷设备;自动化电池转换效率分档测试设备代替了当年的手工测试仪等。看到这些，Stuart讲：正荣，你干得很好!我
Stuart来无锡，他看到了现代版的电池生产线和15%多晶硅电池的转换效率感到异常的兴奋。PECVD 氮化硅取代了从前的APCVD 二氧化钛;连续自动化三道丝网印刷机取代了以往的手工印刷设备;自动化电池
