电性能参数对于运营现场人员来说，就如同人们到医院体检的检查结果一样，可以反映出制程过程中的各种问题，通过各种参数的对比分析、跟踪，来判断问题是否得到真正解决，今天"光伏技术”将介绍电性能异常分析方法，期待与您共同进步。1. 电性能偏低原因分析
1.1开路电压UOC偏低
a. 烧结烧穿;
b. 未扩散片;
c. 湿刻放反片;
d. PE 放反片;
e. 来料“黑心片”;
f. 污染片(工序卫生没搞好);
g. 合金不共融片;
h. 来料氧含量超标;
i. 微晶片。
1.2 短路电流ISC偏低
a. 烧结没烧透(接触电阻大);
b. 烧结烧穿;
c. 未扩散片;
d. 来料“黑心片”;
e. PE 放反片;
f. 背面绒面抛光效果差;
g. 正面绒面效果不理想;
h. 扩散方阻小;
i. 来料氧含量超标;
j. 丝印效果差(高宽比异常、断栅多、虚印严重);
k. 湿刻放反片;
l. 微晶片。
1.3 串联电阻RS偏大
a. 烧结没烧透;
b. 扩散方阻偏大;
c. 湿刻放反片;
d. 湿刻方阻上升过大;
e. 死层去除不够干净;
f. 测试探针接触不良;
g. 浆料过于干燥;
h. 丝印效果差(高宽比异常、栅线粗细不均、虚印严重);
i. 微晶片。
1.4 并联电阻Rsh偏小
a. 烧结烧穿;
b. 漏浆;
c. 湿刻边缘没完全干净;
d. 扩散污染;
e. 来料污染;
f. 湿刻过刻;
g. PE 放反片;
h. 微晶片。
1.5 暗电流Irev偏大
a. 烧结烧穿;
b. 漏浆;
c. 扩散污染;
d. 来料污染;
e. 湿刻边缘没完全干净;
f. 湿刻放反片;
g. PE 放反片;
h. 丝印返工片;
i. 湿刻过刻;
j. 微晶片。
2.异常原因分析
2.1烧结烧穿
测试指标表现为：开路电压偏低、短路电流偏低、并联电阻偏小、暗电流偏大;
2.2 PE 放反片
测试指标表现为：开路电压偏低、短路电流偏低、并联电阻偏小、暗电流偏大;
2.3 来料“黑心片”
测试指标表现为：开路电压偏低、短路电流偏低、并联电阻偏小、暗电流偏大;
2.4 扩散污染片
测试指标表现为：开路电压偏低、短路电流偏低、并联电阻偏小、暗电流偏大;
2.5 正银浆料污染片
测试指标表现为：开路电压偏低、短路电流偏低、并联电阻偏小、暗电流偏大;
a. 备注说明：正常是指指标变化相对小，异常是指指标变化相对大。
b. 使用检测设备：四探针测试仪 和 EL-C。
c. 分析判断方法：
1. 首先用四探针测试电池片背面没有印上浆料的地方，看其方阻是否正常，当方阻在 50 左右时，可以判断为PE 放反;
2. 如果方阻正常，则用EL 进行正偏和反偏测试，根据图案形状来做判断，如果图像是以电池片中心，出现椭圆或近圆状暗色图形的，一般可判为来料“黑心”片;
3. 如果显示暗色的出现在印刷栅线重合地方，可认为是烧结烧穿或者是正银浆料污染;
4. 如果出现杂乱的，或者出现点状暗淡的图形或者在晶界边缘，一般可认为是扩散污染片。
2.6未扩散片
测试指标表现为：开路电压偏低、短路电流偏低;
2.7 氧含量超标
测试指标表现为：开路电压偏低、短路电流偏低;
a. 备注说明：正常是指指标变化相对小，异常是指指标变化相对大。
b. 使用检测设备：用EL-C;
c. 分析判断方法：
1. 直接用EL-C 测试电池片，如果正反偏图象显示为全黑的，可认为是未扩散片;
2. 如果图象均匀跟正常片没什么区别，只是颜色偏淡，一般认为是光谱响应不够,也可以用D8仪来测试其反射率;
3. 对于氧含量超标用专门检测设备来判定,不过由于缺乏设备,我们可以按上面的顺序来排查确定;
2.8 湿刻放反片
测试指标表现为：开路电压偏低、短路电流偏低、串联电阻偏大、暗电流偏大;
a. 备注说明：正常是指指标变化相对小，异常是指指标变化相对大。
b. 使用检测设备：用EL-C;
c. 分析判断方法：
用EL-C正偏测试，如果图象显示的是中间偏暗，而片子四周显示的偏亮，反片图象均匀，偏暗;(这是因为放反的片子四周有PN 结,而中间没有)所以可判定为放反片;
2.9 合金不共融片
测试指标表现为：开路电压偏低、短路电流偏低、串联电阻偏大;
a. 备注说明：正常是指指标变化相对小，异常是指指标变化相对大。
b. 使用检测设备：用EL-C;
c. 分析判断方法：
使用破坏测试，先沿着栅线处断开，然后用EL-C 测试栅线与氮化硅膜接触面，利用图象来分析判断，如果栅线内部结合不紧凑有空洞，接触面能明显分离，没有紧密接触，可认为是烧结不透;
2.10 微晶片
测试指标表现为：开路电压偏低;串联电阻偏大、并联电阻偏小、暗电流偏大;
a. 备注说明：正常是指指标变化相对小，异常是指指标变化相对大。
b. 使用检测设备：WT-2000 、EL-C;
c. 分析判断方法：
用EL-C 测试电池片，其图像一般都是在某个局部有一块地方出现偏暗的，(跟漏电图像大体相似)但仔细观察，里面分布不一样，如果是微晶片，其图像四周有一部分出现密集的星点分布状，而偏暗内部就几乎不出现星点出现。(漏电的则有稀疏的星点);
2.11 背面绒面抛光效果差
测试指标表现为：短路电流偏低;
2.12 正面绒面效果不理想
测试指标表现为：短路电流偏低;
2.13 扩散方阻小
测试指标表现为：短路电流偏低;
2.14 丝印效果差(高宽比异常、栅线粗细不均、虚印严重)
测试指标表现为：短路电流偏低;
a. 备注说明：正常是指指标变化相对小，异常是指指标变化相对大。
b. 使用检测设备：用EL-C
c. 分析判断方法：
用EL-C 进行测试，可以根据图像来判定其类型，如果背面图像的绒面刻粒过大可划为抛光效果差;如果正面图像的绒面大小,均匀性等不在我们工艺控制要求内的可作为效果不理想;
如果看栅线图像可以判断印刷质量，就可以判断其丝印效果;对于方阻小的就要进行破坏测试，先去除氮化硅膜，然后测试方阻来确定;
2.15 湿刻过刻
测试指标表现为：短路电流偏小、串联电阻偏大、并联电阻偏小、暗电流偏大;
a. 备注说明：正常是指指标变化相对小，异常是指指标变化相对大。
b. 使用检测设备：用EL-C;
c. 分析判断方法：
用EL-C 测试电池片，其正偏图像刚好跟放反片相反，中间偏亮，而四周偏暗(一般偏暗距离边缘的尺寸大于2mm);
2.16 死层去除不干净
测试指标表现为：串联电阻偏大、短路电流偏低;
2.17 测试探针接触不良
测试指标表现为：串联电阻偏大;短路电流偏低;
2.18 浆料过于干燥
测试指标表现为：串联电阻偏大;短路电流偏低;
a. 备注说明：正常是指指标变化相对小，异常是指指标变化相对大。
b. 使用检测设备：其他设备(暂时没有)
c. 分析判断方法：
根据我们工艺参数来测算我们的网版设计，和现场检查操作控制有无异常来做判断;
2.19 漏浆
测试指标表现为：并联电阻偏小、暗电流偏大;
2.20 湿刻边缘没完全干净
测试指标表现为：并联电阻偏小、暗电流偏大;
a. 备注说明：正常是指指标变化相对小，异常是指指标变化相对大。
b. 使用检测设备：用冷热探针或者万用表
c. 分析判断方法：
先观察片子四周有无明显的漏浆现象，二是用冷热探针或者万用表来测试片子四周边缘，看其是否有异常来判断;
2.21 丝印返工片
测试指标表现为：暗电流偏大;
a. 备注说明：正常是指指标变化相对小，异常是指指标变化相对大。
b. 使用检测设备：万用表
c. 分析判断方法：
查看操作记录，判断该片是否在印刷过程中返工，二是用万用表来测试四周边缘地方电阻是否正常来判断;
3. 结论总结
对于电性能异常的片子，其测试内容指标都有所变化，只是有个别指标变化特别明显。我们分析突破缺口以最大指标变化的数据为目标。
