减薄硅片厚度
刻蚀量增加变化很小。该结果与Cornagliotti 等 研究结果一致，当刻蚀厚度约达到10 μm 时，反射率随刻蚀量增加变化不大。 当刻蚀量达到0.67 g 时，硅片过薄呈现出柔性特征，碎片率陡升
，目前我们在用的第一是硅片减薄，第二就是做大尺寸，提升组件的转换效率。关于减薄，目前我们开发的海外客户中很大一部分在4月已经50%应用了160um的硅片，有些计划是4月末到5月初就能100%全部切换
要提高硅材料的利用率，从单晶端看，目前我们在用的第一是硅片减薄，第二就是做大尺寸，提升组件的转换效率。关于减薄，目前我们开发的海外客户中很大一部分在4月已经50%应用了160um的硅片，有些计划是4
，从单晶端看，目前我们在用的第一是硅片减薄，第二就是做大尺寸，提升组件的转换效率。关于减薄，目前我们开发的海外客户中很大一部分在4月已经50%应用了160um的硅片，有些计划是4月末到5月初就能100
下文。 技术发展历史 1、铸锭技术：普通法到半熔法再到全熔法，不断降低杂质，提高少子寿命; 2、切片技术不断增大硅片尺寸、减薄硅片厚度、降低硅耗; 3、浆料技术：不断改进的浆料配方和图形设计，极大的提升
明确;
3)电池片原因：电池片方块电阻的均匀性、减反射层的厚度和折射率等对PID性能都有着不同的影响。
上述引起PID现象的三方面中，由在光伏系统中的组件边框与组件内部的电势差而引起的组件PID现象被
破裂。晶体硅组件生产的工艺流程长，许多环节都可能造成电池片隐裂(据西安交大杨宏老师的资料，仅电池生产阶段就有约200种原因)。隐裂产生的本质原因，可归纳为在硅片上产生了机械应力或热应力。
近几年
钠玻璃，玻璃对光伏组件的PID现象的影响至今尚不明确；
3）电池片原因：电池片方块电阻的均匀性、减反射层的厚度和折射率等对PID性能都有着不同的影响。
上述引起PID现象的三方面中，由在光伏系统中的
，可归纳为在硅片上产生了机械应力或热应力。
近几年，晶硅组件厂家为了降低成本，晶硅电池片一直向越来越薄的方向发展，从而降低了电池片防止机械破坏的能力。
2011年，德国ISFH公布了他们的研究结果
Petermann采用蒸镀的方法已制备出厚度为43m、效率达19.1%的高效PERC电池。硅片减薄，会影响太阳电池的机械性能和吸光性能，而且必须对常规电池生产线进行改进，以适合批量投产。本文对不同厚度
，使得HIT电池有着对称双面电池结构，一定程度上减少了电池的热应力和机械应力，并允许薄硅片的使用，同时电池背面可以利用地面的反射光发电，提高了发电量。整个制备过程都是在低于200℃下进行的，可避免高温
）现有HIT产能共1GW，160MW为一条产线。电池量产转换效率约为22.5%，马来西亚工厂HIT组件成本约为0.7美元/瓦。所有硅片电池均为125mm125mm，主要原因是薄片化（初始硅片厚度150m
。PERL电池的工艺流程为：硅片正面倒金字塔结构的光刻法制作背面局域硼扩散栅指电极接触区的浓磷扩散正面淡磷扩散SiO2减反射层的氧化光刻背电极接触孔光刻正面栅指电极引线孔正面蒸发钛钯薄栅指电极背面蒸发
