减薄硅片厚度
侵蚀性成分腐蚀减薄氮化硅层，最后形成的氧化铝/ 背面氮化硅叠层厚度约为230～250 nm，如图5 所示。 背抛光后硅片印刷氧化铝并烧结，使用WT-2000 设备测试少子寿命值在10 s 左右
低温工艺(250℃)，避免采用传统的高温(900℃)扩散工艺获得 p-n 结。三个角度降本，1、节约能源;2、硅片减薄。低温沉积过程中，单晶硅片弯曲变形小，因而其厚度可以采用本底光吸收材料所要求的
180m，N型与P型硅片厚度亦基本一致。但N型硅片具备更高的减薄潜力，异质结电池已有100m 以下厚度的试验产品，转换效率超过24.5%。预计随着硅片薄片化趋势的持续，异质结电池硅片成本有望得到进一步
在多晶硅价格高启时，所有人都想通过减薄硅片实现大幅降本，但过去10年，硅片厚度并未从200微米减薄多少，现在硅片一般都在180微米左右。相对于10年前125*125的硅片面积来说，现在166*166
! 问题2 大尺寸硅片，可能会增加工艺的不稳定性，比如：可能增加碎片率，可能降低硅片的减薄适应能力等。大尺寸组件，会降低组件的力学稳定性和抗压能力，要维持组件能力，就要增加组件相关部件的厚度或强度，会增加
不稳定性，比如：可能增加碎片率，可能降低硅片的减薄适应能力等。 3， 大尺寸组件，会降低组件的力学稳定性和抗压能力，要维持组件能力，就要增加组件相关部件的厚度或强度，会增加一定成本。大尺寸带来的成本
。 SHJ技术在降低成本方面最显着的优势是所有工艺步骤均在低温(250C)下进行，这有利于在SHJ太阳能电池生产中使用薄硅片。金刚石线锯技术的应用使得硅片切片技术不断进步，目前可以实现厚度小于160m的低成本
，对应的组件价格可以降低5到6分钱，发展空间巨大。对于单晶硅片而言，沈文忠希望，未来可以达到100微米，这样硅材料用的更少，对硅质量的要求可以降低，甚至可以做柔性，同时，硅片厚度的减薄对异质结电池薄片化
到现在目前的160到180微米的厚度，这个变化挺快的挺大的，但是话说回来我们过去的二十年我们规模化生产以来我们硅片的厚度一直保留在160到180，也就是过去的二十年硅片厚度减薄的进程是非常缓慢的，但是
，Richter和Feldmann等探究不同硅片厚度及电阻率对TOPCon电池效率的影响，在4cm2大小，电阻率为1 cm，厚度为200 m的FZ硅片上取得了25.8%的前结世界效率记录，具体电性能参数
