减薄硅片厚度
，导致转换效率基本不随厚度减薄而改变，这就为超薄硅片的应用提供了可能，这也是降低主材硅成本最为有效和直接的方法。 根据测算，硅片厚度每降低10m，单片硅片成本将降低3%~5%，这个对于价格高昂的N型
，硅片的成本将会和P型一样。从公开信息来看，目前安徽华晟已经计划开始尝试130m，证明目前N型的减薄进展值得期待。但是对于薄片化还是需要辩证来看。硅片做薄了之后，还需要组件厂根据变薄的硅片重新研发设备
HJT使用的是低温工艺，相较于PERC天生更容易实现薄片化。假如厚度下降到150m，硅片的成本将会和P型一样。 从公开信息来看，目前安徽华晟已经计划开始尝试130m，证明目前N型的减薄进展值得期待
，2019年的单位耗硅量为4.3g/瓦，仅为2009年的31%。对原材料利用率的大幅提高，自然会带来利润空间的同步增长。目前降低耗硅量的主要方式为降低硅片厚度与减少切片损耗。 硅片减薄：从产业发展趋势看
%，成本下降有赖于以上三方面：1)硅片大尺寸和薄片化方向有助于硅片成本持续下降。TOPCon电池硅片从166mm向182mm和210mm发展，尺寸厚度从目前的170m持续减薄;2)银浆替代和用量下降推动
，异质结电池厚度在150-160微米，未来，其所用硅片厚度有望进一步降低至120-130微米，硅片每减薄5微米，单片价格下降约5分钱，可实现大幅降本。 其次，异质结非硅材料成本中，银浆和靶材成本占比达到70
为4．3g／瓦，仅为2009年的31％［10］。对原材料利用率的大幅提高，自然会带来利润空间的同步增长。目前降低耗硅量的主要方式为降低硅片厚度与减少切片损耗。 硅片减薄：从产业发展趋势看，硅片厚度
。TOPCon 电池硅片从 166mm 向 182mm 和 210mm 发展，尺寸厚度从目前的 170 m 持续减薄; 2)银浆替代和用量下降推动成本下降。目前用量 150-180mg，预计未来 背面用银铝
异质结。硅片的背面又通过沉积厚度为5-10nm的i-a-Si: H 和掺杂的 N 型非晶硅(n-a-Si: H )形成背表面场,双面沉积的透明导电氧化物薄膜(TC0)不仅可以减少收集电流时的串联电阻
温度(200 C ),避免了传统晶体硅电池形成 p-n 结的高温(950C),采用低温工艺在降低能耗的同时还可以减少对硅片的热损伤,这就是说, HJT 电池可以使用薄型硅片做衬底,有利于降低材料成本
方式，硅片每减薄20微米价格可下降10%，对应组件价格降低5-6分/Wp。 异质结电池采用低温制造工艺，易实现薄片化，预计2030年厚度可降到120微米，据南京航空航天大学亚太材料科学院实验室研究
