减薄硅片厚度

工艺电池工艺中最贵的材料是硅片。多晶硅的大量供应导致了硅片价格的急剧下跌，并降低了进一步减薄硅片的压力。图2讨论了硅片厚度的发展趋势。减少硅片厚度将降低硅材料的成本。图2也展示了量产中预期的最薄硅片

之一。而新型的薄膜太阳能电池技术将这种单位电量的价格优势继续扩大。在过去的几年中，为了降低晶体硅太阳能电池的成本，用来制作电池片的硅片的厚度已经从原来的300um减薄到了180um，孙海燕博士认为

薄膜太阳能光伏电池 通常的晶体硅太阳能电池是在厚度350～450m的高质量硅片上制成的，这种硅片从提拉或浇铸的硅锭上锯割而成。因此实际消耗的硅材料更多。为了节省材料，人们从70年代中期就开始在廉价衬底上沉积多晶硅

表面微结构处理和分区掺杂工艺。在此方面，德国夫朗霍费费莱堡太阳能系统研究所保持着世界领先水平。该研究所采用光刻照相技术将电池表面织构化，制成倒金字塔结构。并在表面把一13nm。厚的氧化物钝化层与两层减
。为了节省高质量材料，寻找单晶硅电池的替代产品，现在发展了薄膜太阳能电池，其中多晶硅薄膜太阳能电池和非晶硅薄膜太阳能电池就是典型代表。1．2 多晶硅薄膜太阳能电池 通常的晶体硅太阳能电池是在厚度350

图，未来三到五年，每季度电池转换效率可提高0.1%，每半年同样大小的60片组件可提高5W左右，每年硅片厚度可以减薄5-10微米，也就是说同样重量的硅料可以做出更多的终端组件。如上所述，目前，高端

,从而使开路电压得以提高。在前表面的钝化层下又进行了浅磷扩散以形成n+前表面场,提高短波响应。背面电极与硅片之间通过SiO2钝化层中的接触孔实现了点接触,减少了金属电极与硅片的接触面积,进一步降低
通过PECVD沉积双层SiNx薄膜,以起到减反射和表面钝化作用。电池背面利用局部激光烧蚀技术,烧蚀成高低不同、呈叉指状交叉排列的两片区域。这种台阶结构成为RISE电池最大的结构特点。背面经磷扩散后

背面制作电极比较简单，可在整个背面加上一层薄的金属层，为了容易焊接，必要时要镀上一层锡。但电池的正面必须保证对光线透明，因此，电池正面的电极呈梳子状、丝网状或树枝状结构。正面电极的形式和厚度总是两方面
索比光伏网讯:丝网印刷是太阳能电池制造的重要工艺，它质量的好坏会对太阳能电池的性能特别是电性能产生重要影响。在太阳能电池的一般生产工艺中，经过扩散制结，等离子刻蚀去周边和PECVD制减反膜，下一工艺

不同而自动调整摩擦力的大小，使之与拉力相匹配，最大限度地减小抖动的产生。2网带本身的结构要求由于电池片本身极薄(还有继续减薄的趋势)，从烧结段带出的热量主要集中在金属网带上。理论上迅速降温的方式有两种

复合均低的优势），衬底减薄到约100m，以进一步减小体内复合。这种电池的转换效率在AM1．5下为22.3％。 　　（3）德国Fraunhofer太阳能研究所的深结局部背场电池（LBSF
经由腐蚀得到理想的绒面结、构，因而对其表面进行各种处理以达减反射的作用也为近期研究目标，其中采用多刀砂轮进行表面刻槽，对10cmX10cm面积硅片的工序时间可降到30秒，具有了一定的实用潜力

的发射区被设计成点状，50m间距，10m扩散区，5m接触孔径，基区也作成同样的形状，这样可减小背面复合。衬底采用n型低阻材料（取其表面及体内复合均低的优势），衬底减薄到约100m，以进一步减小体内复合
硅片的工序时间可降到30秒，具有了一定的实用潜力。多孔硅作为多晶硅太阳电池的减反射膜具有实用意义，其减反射的作用已能与双重减反射膜相比，所得多晶硅电池的效率也能达到13。4％。我国北京有色金属研究总院及