索比光伏网讯:浙江中科院应用技术研究院嘉兴微电子设备与仪器工程中心夏洋带领的微电子仪器与设备创新团队，在晶硅太阳能电池表面钝化技术的研究中取得新进展。该创新团队利用自主设计生产的KMT-200A型原子层沉积设备，在p型单晶硅片上生长氧化铝钝化层，退火后平均少子寿命可达1ms，有效减少了硅片表面复合，具有优秀的表面钝化效果。
目前，微电子仪器与设备创新团队以技术优势，吸引美国硅谷研究团队来嘉兴开展原子层技术合作，强强联合，加快了国内开发原子层沉积设备的研制和在嘉兴市的产业化，推出了一系列的拥有自主知识产权和创新的原子层沉积设备产品，包括热型设备、等离子体增强型设备和适于光伏产业应用的批量型设备，实现了国产原子层沉积设备在光伏产业首创应用的新局面，为下一代高效晶硅太阳能电池产业的发展提供了国产化设备支撑。
原子层沉积技术是一种有序的气相薄膜生长技术，具有良好的保形性、均匀性和高的台阶覆盖率，通过原子层沉积氧化铝薄膜对硅片表面进行钝化，可以大幅度提高太阳能电池效率，被业界普遍认为是未来新一代晶硅太阳能电池技术发展的重要趋势。
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