a-Si
非晶硅薄层上用溅射法沉积透明导电氧化物薄膜，最后制备金属栅极。
HIT太阳能电池的优势
低温工艺
由于使用a-Si构成PN结，所以能在200℃以下的低温完成整个工序，远低于传统晶硅太阳电池的形成
HIT 技术，包括晋能、汉能、通威、江苏爱康等，产能即将较去年大幅增加。
HIT电池产能统计
3HIT电池的制造工艺流程介绍
HIT电池制造工艺流程以简洁著称，其中a-Si:H薄膜的沉积是
依次沉积厚度为5～10 nm 的i-a-Si:H 薄膜、n 型非晶硅薄膜(n-a-Si:H)形成背表面场。在掺杂a-Si:H 薄膜的两侧，再沉积透明导电氧化物薄膜(TCO)，最后通过丝网印刷技术在两侧
氢化氮化硅薄膜，使用这种方法可以增加硅太阳能电池生产量并降低其生产成本。
3.2 氢化非晶硅
非晶硅(a-Si)薄膜作为重要的非晶态半导体材料具有特殊的结构和光电性质。但是，由于薄膜内部大量的悬挂键
存在，产生了大量的缺陷态，进而使其在进一步的应用中受到了限制。对非晶硅进行氢化可以得到含氢的非晶硅薄膜，即a-Si∶H。由于使用硅烷(SiH4)作为气源，沉积后的薄膜中存在大量的氢原子和氢原子基团
构造，其特征是以光照射侧的p-i型a-Si：H膜(膜厚5-l0nm)和背面侧的i-n型a-Si：H膜(膜厚5-l0nm)夹住晶体硅片，在两侧的顶层形成透明的电极和集电极，构成具有对称结构的HIT
总部位于中国的光伏薄膜设备和组件生产商汉能薄膜发电集团有限公司(Hanergy TF)于2017年创建了一个全新的商业模式，具体表现为：公司为新产业园提供a-Si，CIGS，GaAs和c-Si
（PCN），如单晶和多晶太阳能电池的PCN分别为C1和C2；单晶和多晶电池组件的PCN分别为M1和M2；非晶硅薄膜太阳电池组件（A-Si），碲化镉薄膜太阳能电池组件（CDTE），铜铟镓硒/硫化物薄膜太阳能电池组件（CIGS）PCN分别为TF-1、TF-2和TF-3。
非晶硅(a-Si),碲化镉(CdTe)或铜铟镓硒(CIGS)制造的薄膜晶体硅产品。被调查产品不包括输出电力不超过100W的组件、薄片或薄膜产品,以及,不包括集成到其他电力产品(该电力产品的功能不是生成
and laminates）启动反倾销和反补贴调查。被调查产品是指：原产于或出口自中国的，由晶体硅光伏电池组成的光伏组件和薄片，包括与光伏组件的其他部分共同运输或包装的薄片，以及由非晶硅(a-Si)，碲化镉(CdTe)或
。
薄膜电池基本上分为：非晶硅薄膜电池、铜铟镓硒(CIGS)薄膜电池和碲化镉(CdTe)薄膜电池三种。
1、非晶硅电池板
图3：非晶硅电池板
非晶硅(a-Si)太阳电池是在玻璃
(glass)衬底上沉积透明导电膜(TCO)，然后依次用等离子体反应沉积p型、i型、n型三层a-Si，接着再蒸镀金属电极铝(Al).光从玻璃面入射，电池电流从透明导电膜和铝引出，其结构可表示为glass/TCO
，然后稳定持续衰减。非晶薄膜a-Si组件具有年度周期性的光致衰减，加上稳定的持续衰减。为什么稳定性问题极其重要?历史已经翻开了新的一页，和火电比较，光伏发电的度电成本已经更低;现在的焦点是，在成本
了 c-Si，HIT，CdTe，CIGS，a-Si 组件在沙漠、热带、地中海、温带几个地区的性能状况(Progress in Photovoltaics, Schweiger, 2017)。关公战秦琼
