a-Si
Passivated Contact"(隧道氧化物钝化接触)，是一种表面工程方法，通过在电池的前后表面引入特定的非晶硅(a-Si)或微晶硅(μc-Si)薄膜，以实现电子传导性的增强和载流子表面复合损失的降低
为"TunnelOxidePassivatedContact"(隧道氧化物钝化接触)工艺，是一种高效的太阳能电池生产技术。它的主要特点是在电池的前后表面分别添加一层非晶硅(a-Si)或微晶硅(μc-Si
中具有浓墨重彩的一部分。薄膜电池按材料种类不同可分为硅基(a-Si)、碲化镉(CdTe)、铜铟镓硒(CIGS)、砷化镓(GaAs)薄膜电池等，其中碲化镉薄膜电池组件是商业化最成功的一种，也是在全球光伏
材料SiOx/p+ Poly-Si结合的载流子的选择性可以达到13.8-14.2，高于电子选择性材料a-Si：H(i)/a-Si：H(n+)与空穴选择性材料a-Si：H(i)/a-Si：H(p+)结合
近日，上海微系统所微系统技术重点实验室新能源技术中心刘正新团队在非晶硅/晶体硅异质结(SHJ)太阳电池的掺杂非晶硅(a-Si:H)薄膜中发现到反常Staebler-Wronski效应，并证明该反常
师、名誉教授克里斯托弗R朗斯基(Christopher R. Wronski)在实验室首次发现光照会降低a-Si:H薄膜的暗电导率，这种现象后来被命名为Staebler-Wronski效应，该现象对非晶硅光电
。公司全新异质结产品伏曦 (Hyper-ion)系列通过a-Si完美钝化实现超过750mV的超高开压，同时搭载的超薄硅片实现更具性价比的量产成本。与此同时HJT薄片电池相比PERC 碳值下降近30
主要原因：
(1)高Voc。HBC电池采用氢化非晶硅(a-Si:H)作为双面钝化层,在背面形成局部a-Si/c-Si异质结结构，基于高质量的非晶硅钝化，获得高Voc。充分吸收了HJT电池非晶硅钝化技术
：
(1)P区和N区没有隔离，为防止短路，空穴收集材料必须具有低横向电导性能;
(2)使用nc-Si:H(n)/nc-Si:H(p)代替a-Si:H(n)/a-Si:H(p)可以获得更好的Voc和
充满质疑。基于这样的背景，部分激进的研究员开始尝试寻找晶硅材料的替代品。 20世纪70年代，一种基于活性材料非晶硅(a-Si)的薄膜电池横空出世，由于薄膜电池采用的活性材料几乎全部都是直接带隙半导体
。
HWCVD技术自1979年由Wiesmann发明后并未引起人们的关注，直至20世纪80年代后期Doyle和Matsumura等人才开始对HWCVD制备氢化非晶硅(a-Si:H)进行研究，在1991年
，Mahan等人首次证明了HWCVD技术可生产器件级质量的a-Si:H材料。在1993年Kaiserslautern大学和NREL首次用HWCVD技术成功制备了薄膜硅太阳能电池，而到1995年，乌得勒支
，再到2021年1月通过问卷调查结果，针对薄膜组件技术(CdTe，a-Si，CIGS)提出RSML的立项，引入ED2 AMD1的修正案，然后到2021年9月进入CDV草案流转阶段，计划2021年年
