a-Si
) ，除了具备IBC的PN结和金属接触都处于太阳电池的背部的特性，同时还采用a-Si∶H 作为双面钝化层，具有优异的钝化效果，能够取得更高的开路电压。目前实验室效率能够达到26%以上。然而，HBC电池在继承
是在异质结界面附近建立起一个方向由 n 区指向 p区的内建电场，即p-n结；同时 n 型的c-Si与 n+ 的a-Si：H形成 n-n+结构，形成n+区指向 n 区的内建电场，即背电场。背电场产生的
在行业爆发期。自 1974 年 Walter Fuhs 首次提出 a-Si 和晶体硅融合的 HJT 结构起，到 1989 年三洋获得专利，HJT 电池技术经历 了较长时间的技术垄断，期间全球各个实验室
型硅片(c-Si)及基极，在正面、背面都采用非晶硅薄膜(a-Si)形成异质 结结构，正面使用本征非晶硅薄膜和 P 型非晶薄膜沉积形成 PN 异质结，背面同样使用本 征非晶硅薄膜和 N 型非晶薄膜
月在布伦瑞克WG2会议上提议把RSML加入到IEC 61215 ED2系列中到2020.4月纽尔卡斯会议上决定把RSML在FDIS前移除，再到2021.1针对对薄膜组件技术(CdTe，a-Si
/千瓦时的价格发电。当今最高效的硅太阳能电池核心部分是小于10纳米的选择性非晶硅(a-Si:H)接触层，这些接触层负责分离光产生的电荷。HZB使用这种硅异质结太阳能电池可实现24%以上的效率，做成
串联太阳能电池后，最新报告的效率记录为29.15%。
这种异质接触系统具有相当大的潜力，然而，科学家现在还不清楚这接触层如何实现电荷载流子分离，以及它们的纳米级损耗机制是什么。
a-Si:H接触层的特点是
交叉排列，本征非晶硅薄膜(i:a-Si)作为双面钝化层，具有优异的钝化效果。 双/多结叠层电池(Tandem / Multi-junction)： 将带隙不同的两个或多个子电池按
，硅料价格如坠机一般从200美元/kg跌到20美元/kg。 晶体硅路线的成本降速远超薄膜路线，硅料价格的雪崩导致a-Si、镝化镉等太阳能薄膜电池路线的退出，奠定了晶体硅的主流地位。 从应用材料到正泰
电池产能接近3GW，但主要参与方当前的规划产能已经超过16GW，具有长期投资价值。 异质结电池全称为本征，同样是基于光生伏特效应，只是P-N结是由非晶硅(a-Si)和晶体硅(c-Si)材料形成的
制备 a-Si:H 薄膜的三个重要优点。加之 PECVD 的低温工艺使得对制备薄膜时衬底要求不高，大大扩大了该方法的使用范围。 日本松下采用 HWCVD 法沉积非晶硅薄膜。HWCVD 以加热的
三洋公司于1990年成功开发，因HIT已被三洋注册为商标，因此又被称为HJT或SHJ。HIT电池同样是基于光生伏特效应，只是P-N结是由非晶硅(a-Si)和晶体硅(c-Si)材料形成的(背面的高低结亦然
，均表现为光致增益，而非光致衰减。研究了焊接过程中光+热对HJT电池的影响，发现同样有光致增益的表现，且对其进行LID与LeTID测试，仍然表现为增益。 东方日升研究认为，一方面是由于a-si:H
