a-Si

太阳能板！全球首座太阳能巨蛋日本职棒中日龙队的主场名古屋巨蛋拥有圆弧状的屋顶，加上采光和屋顶开阖的需求，无法安装传统的太阳能板。名古屋巨蛋选用了三菱化学所生产的可挠式胶卷状非晶硅（a-Si）太阳能板，从

（a-Si）材料组合，藉此吸收更广泛的光波，透过光电转换效应来提高电池的转换效率。另一方面，背电极技术则是指在太阳能电池的底部形成电极，藉此有效取得电力。一般的太阳能电池表面有电极，会使受光面积减少
；若将电极改为铺在底部，电池表面受光面积增加，转换效率也能提升。▲结构图（由上而下）：受光面保护层、受光面钝化层、晶矽基板、i型非矽材质（a-Si）、p／n型a-Si层、电极层。KANEKA利用自行开发的

factsheet所定义之课税范围（scope），凡是组件中采用晶硅PV电池者皆属课税范围；晶硅PV电池之定义为厚度在20mm以上、具有p/n结结构者。据同一份文件，a-Si薄膜电池、CdTe、CIGS并不在

第一次成功制备了HIT（Heterojunctionwith Intrinsic ThinLayer）电池。HIT电池结构简单，其中间衬底为N型晶体硅，通过PECVD方法在P型a-Si和c-Si之间插入
一层10nm厚的i-a-Si本征非晶硅，在形成pn结的同时本征a-Si：H具有很好的钝化晶体硅表面缺陷的作用，极大地降低了晶体硅的表面复合，复合速率可降至3cm/s，确保了电池很高的开路电压。电池背面

征层i-和p-及n-型非晶硅薄膜，形成n-型硅和非晶硅异质结结构（HIT）太阳电池。非晶硅（a-Si：H）材料的带宽在1.7eV左右，远大于晶体硅1.1eV的带宽，因此此种HIT电池结构对于电池表面

引入此技术。 2)HIT电池技术 HIT电池的特征是以光照射侧的p-i型a-Si：H膜(膜厚5～l0nm)和背面侧的i-n型a-Si：H膜(膜厚5～10nm)夹住晶体硅片，在两侧的顶层形成透明的电极

已开始运用PERC技术大规模生产电池，我国大部分企业已落后，仅晶澳、乐叶等一线企业在积极引入此技术。2）HIT电池技术HIT电池的特征是以光照射侧的p-i型a-Si：H膜（膜厚5～l0nm）和背面侧的
i-n型a-Si：H膜（膜厚5～10nm）夹住晶体硅片，在两侧的顶层形成透明的电极和集电极，构成具有对称结构的光伏电池。其优势为：（1）低温工艺。所有的制作过程都是在低于200℃的条件下进行，这对

一、组件的衰减：光致衰减也称S-W效应。a-Si∶H薄膜经较长时间的强光照射或电流通过，在其内部将产生缺陷而使薄膜的性能下降，称为StaEbler-Wronski效应（D.L.Staebler和

索比光伏网讯:一、组件的衰减：光致衰减也称S-W效应。a-Si∶H薄膜经较长时间的强光照射或电流通过，在其内部将产生缺陷而使薄膜的性能下降，称为StaEbler-Wronski效应

的玻璃、塑胶或不锈钢基板上蒸镀非晶矽薄膜，而不需从矽晶棒切割而来，因此产生的废弃物较少，也无须使用复杂的电弧炉，但这不代表薄膜太阳能电池不会造成环境污染。薄膜太阳能电池的主要技术以非晶矽（a-Si