a-Si
稳定持续衰减。
非晶薄膜a-Si组件具有年度周期性的光致衰减，加上稳定的持续衰减。
为什么稳定性问题极其重要?
历史已经翻开了新的一页，和火电比较，光伏发电的度电成本已经更低;现在的焦点是，在成本
Julich研究中心最近就搞了这么个大比武，2年多时间监测了 c-Si，HIT，CdTe，CIGS，a-Si 组件在沙漠、热带、地中海、温带几个地区的性能状况(Progress
定量化出来。影响整体PR值得14项影响因素和判定指标光伏组件光谱失配损失的量化光谱适配损失，非晶硅(a-Si) 和碲化镉(CdTe)组件对于光谱分布很敏感，需要进行光谱修正，对于晶体硅(C-Si)和
可分为硅薄膜形、化合物半导体薄膜形和有机膜形，而化合物半导体薄膜形又分为非结晶形(a-Si:H,a-Si:H:F,a-SixGel-x:H等)、ⅢV族(GaAs,InP等)、ⅡⅥ族(Cds系)和磷化锌
，具有不同的优缺点。通常对薄膜太阳能板的命名来自于半导体材料的类型。1.不定形硅(a-Si) 图1.a-Si光伏电池结构不定形硅是最早的也是最成熟的用于制作薄膜太阳能电池。这可能是因为晶体硅早已用在传统
在P型a-Si和c-Si之间插入一层10nm厚的i-a-Si本征非晶硅，在形成pn结的同时本征a-Si:H具有很好的钝化晶体硅表面缺陷的作用，极大地降低了晶体硅的表面复合，复合速率可降至3cm/s
，确保了电池很高的开路电压。电池背面为20nm厚的本征a-Si:H和N型a-Si:H层，在钝化表面的同时可以形成背表面场。由于非晶硅的导电性较差，因此在电池两侧利用磁控溅射技术溅射TCO膜进行横向
迅猛发展起到了重要的推动作用；3、硅薄膜电池在原材料易得性与清洁安全等方面均不存在瓶颈。薄膜光伏电池是在低成本的玻璃、塑料、不锈钢等基板上沉积形成很薄的感光材料实现光电转换，主要包括硅薄膜电池（a-Si
、a-Si/c-Si等）、碲化镉（CdTe）、铜铟硒（CIS、CIGeS）。2015年全球薄膜太阳能电池的产能约为9.3GW，产量约为4.4GW（图。按技术划分，2015年硅基薄膜电池的产能占比为38
柔性衬底薄膜太阳电池;(2)研制多结薄膜太阳电池。目前，国际发展趋势主要涉及非晶硅(a-Si:H)太阳电池、铜铟(镓)硒(CuInGaSe2)太阳电池和碲化镉(CdTe)太阳电池。经过数年的努力，其效率
。薄膜太阳电池是获得高效率、长寿命、高可靠、低成本的重要途径之一。主要包括：a-Si及其合金、CuInSe2 及其合金、以及CdTe三种材料的薄膜太阳电池。聚光太阳电池一般认为，现代聚光PV开始于
服务。 标段02主要的建设内容包括： 本项目计划采购等离子体增强化学气相沉积(PECVD)镀膜设备一套，用于p型、i型及n型非晶硅(a-Si:H)薄膜的淀积。该套设备主要包括： 主机：卡匣自动装载
produced from amorphous silicon (a-Si), cadmium telluride(CdTe), or copper indium gallium selenide
(CIGS).由非晶硅（a-Si）、碲化镉（CdTe）和铜铟镓硒（CIGS）制造的薄膜组件，并不在此贸易案的控诉对象之内。我想，收入超过80%来自美国，最大的CdTe薄膜组件厂商FSLR（详见《除了零售业
petition are thin film photovoltaic products produced from amorphous silicon (a-Si), cadmium telluride
(CdTe), or copper indium gallium selenide (CIGS).
由非晶硅(a-Si)、碲化镉(CdTe)和铜铟镓硒(CIGS)制造的薄膜组件，并不在此贸易案的控诉
