a-Si
硅异质结太阳能电池对紫外线(UV)敏感。二次离子质谱(SIMS)分析表明，365nm 紫外线会解离 Si-H 键，导致氢原子从 a-Si:H/c-Si
界面迁移并形成亚稳态缺陷。东方日升全球光伏
25%(a-Si:H)，使载流子寿命提升至3.6ms，紫外诱导衰减(UVID)从1.59%降至 0.71%。近日，相关研发成果以《Enhancing UV light stability
/a-Si(p)/a-Si(i)/n-Si/a-Si(i)/aSi(n)/ITO/HTL/Perovskite/C60/SnO2/IZO/Ag/LiF 柔性硅基底，在0.37 Pa、25 ℃和90 W
转折点。d. 内部测量的i:a-Si:H, n:a-Si:H, p:a-Si:H, SiNx(n=2.5)和ITO层的吸收系数，以及c-Si的参考。e. 在P2和P3期间，随着SiNx厚度的变化，模拟
在非晶/结晶硅(a-Si:H/c-Si)界面形成的异质结具有独特的电子特性，可用于硅异质结(SHJ)太阳能电池。超薄a-Si:H钝化层的结合实现了750
mV的高开路电压(Voc)。此外，n型或
p型掺杂的a-Si:H接触层可以结晶成混合相，减轻寄生吸收，并提高载流子选择性和收集效率。隆基绿能科技股份有限公司Xu Xixiang、Li
Zhenguo等人在p型硅片上实现效率为26.6%的
面有两个数据，一个是缺陷密度，是PECVD沉积a-Si：H层的Di最低，SiO次之。其次是接触电阻，Si：H和n+poly-Si的J均优于p+poly-Si，其中n poly-Si的接触电阻最低
光伏器件仿真工具软件之一。·主持国家“973”黑硅太阳电池项目子课题，采用wxAMPS软件建立了“化合物晶硅异质结(HCT)太阳电池” 理论模型，由宽带隙化合物半导体薄膜替代HJT电池中的a-Si薄膜
电池工艺的主要工艺手段。目前，主流的TOPCON poly-Si\HJT a-Si材料体系，在制作BC电池结构时需要对背面多层nm膜层进行多次图形化刻蚀处理，因此对处理工艺要求具有nm级的刻蚀精度
等方法。作为影响太阳能电池效率表现的重要因素之一，异质结的紫外诱导衰减问题也引人关注。日本三洋电机株式会社-松下集团电气工程公司总工程师田口幹朗在报告中表示，异质结电池中的紫外诱导衰减是由于a-Si
cm-2，FF为82.53%(图 4f)。在相同的1002 lux下，该PCE 高于对照电池(PCE为 38.01%)。比较了迄今为止报道的PSC、OPV、DSSC、a-Si、GaAs
，尽管硅太阳能电池是一种成熟的太阳能技术，并且可以很好地用于陆地应用，但由于硅的带隙很窄，它们远不适合为水下系统供电。具有较宽带隙的材料，如CdTe、非晶硅(a-Si)和GaInP，已经被探索用于水下应用
。举例来说，Arima等人开发了一种由a-Si太阳能电池供电的水下滑翔器，因为它们能够大量吸收能够深入海洋的蓝光，被引用为水下能源收集的潜力。Kong等人使用四块a-Si太阳能电池作为太阳能面板，以为
