MOSFET

状态。到了80年代以后，随着功率MOSFET工艺的日趋成熟及磁性材料质量的提高，高频变换逆变电源才走向市场。高频变换逆变电源是通过高频DC/DC变换技术，先将低压直流变为高频低压交流，经过脉冲变压器升压

。到了80年代以后，随着功率MOSFET工艺的日趋成熟及磁性材料质量的提高，高频变换逆变电源才走向市场。 高频变换逆变电源是通过高频DC/DC变换技术，先将低压直流变为高频低压交流，经过脉冲变压器

大型功率半导体厂商意法半导体公司3月宣布，将销售采用新一代半导体元件SiC（碳化硅）的功率MOSFET（金属氧化物半导体型场效应晶体管）SCT30N120。新产品的工作温度为200摄氏度，达到业界
%。 此次的高耐压SiC功率MOSFET将在光伏发电用PCS中取代以往的硅IGBT（绝缘栅双极晶体管）。其作用是将太阳能电池板发电的直流电转换成高电压的交流电。 与硅IGBT相比，其优点包括

索比光伏网讯:大型功率半导体厂商意法半导体公司3月宣布，将销售采用新一代半导体元件SiC（碳化硅）的功率MOSFET（金属氧化物半导体型场效应晶体管）SCT30N120。新产品的工作温度为200
元件采用SiC的优点是，与以往的硅（Si）功率半导体元件相比，可降低能量损失。意法半导体称，最少可降低50％。此次的高耐压SiC功率MOSFET将在光伏发电用PCS中取代以往的硅IGBT（绝缘栅

核心动力驱动系统包含AUDO Future微处理器、IGBT模块Hybrid PACK2，EiceDRIVER、CoolMOS高压MOSFET等。工业功率控制方面，曾与阳光电源合作为背景奥运会和上海世博会提供高效

和1.2 mH，滤波电容分别为600 F和2.2F。 系统采用AVR单片机ATMEGA64作为主控芯片。DC/DC部分VT1～VT4采用IXFK180N10型MOSFET管，VD1～VD4采用
MUR8120型快恢复二极管，开关频率f=62.5 kHz，高频变压器磁芯采用PQ50/50，使用丝包线绕制。DC/AC部分VT5～VT8采用47N60C3型MOSFET管，f=32 kHz

销售额的复合年度增长率将达13%。2011年IGBT销售额将达到8.59亿美元，2015年有望达到13亿美元，如下图所示。与其它MOSFET等其它分立功率元件相比，中国IGBT销售额增长

主要功能：检测主回路直流电压及输出电流，计算出太阳能阵列的输出功率，并实现对最大功率点的追踪。扰动电阻R和MOSFET串连在一起，在输出电压基本稳定的条件下，通过改变MOSFET的占空比，来改变

随着节能观念兴起，再生能源的发电效率也逐渐受到重视，为迎合市场需求，太阳能业者皆无所不用其极努力打造节能高效的太阳能发电系统。受惠近期太阳能光伏逆变器中的IGBT与MOSFET两项功率元件技术显著
进步，太阳能面板转换效率已大幅提升。 IGBT技术演进日趋成熟 IGBT与N通道(N-ch)型MOSFET不同处在于，N-ch型MOSFET的基板极性为N;而IGBT的基板极性为P。由