MOSFET
Compact 300 mil器件采用DSO-8 300 mil封装，可增大爬电距离并改善热性能。 全新IC的爬电距离为8 mm，输入至输出隔离电压1200 V。它们专为驱动高压功率MOSFET和IGBT而设
1EDI60H12AH的延迟有所缩短，只有120纳秒，非常适合于当今和未来的基于SiC-MOSFET的应用。另外三个型号（1EDI10I12MH、1EDI20I12MH和1EDI30I12MH）配有一个集成的
降低到40V左右，保证组件和人身安全，该功能在电站发生火灾消防人员救火时非常重要；3）采用了国际领先的MOSFET晶闸管旁路保护技术代替传统二极管，当组件发生异常或者遮挡时，接线盒内旁路电路开始工作
，但因为MOSFET独有的低VF特征，可以使盒内热量降到原来二极管热量的十分之一，延长了接线盒和组件的实际使用寿命；4）该产品为免后台设计，三大功能自动运行，不需要软件监控后台支持和调试，为业主安装提供
电池板之间的连接，将1000V的电压降低到40V左右的人体可接受的电压，确保消防人员的安全。
3) 采用MOSFET晶闸管集成控制技术，代替了传统了肖特基二极管。当发生阴影遮挡时，可以瞬间启动
MOSFET旁路电流来保护电池板的安全，同时因为MOSFET特有的低VF特性，使整体接线盒内的发热量只有普通接线盒的十分之一，该技术大大延长了接线盒使用的寿命，更好地保障了电池板使用寿命。
目前，智能
导电性能好的导线，导线需要有足够的直径。系统维护中要特别注意接插件以及接线端子是否牢固。 1.4.5逆变器效率 逆变器由于有电感、变压器和IGBT、MOSFET等功率器件，在运行时，会产生损耗。一般
端子是否牢固。1.4.5逆变器效率逆变器由于有电感、变压器和IGBT、MOSFET等功率器件，在运行时，会产生损耗。一般组串式逆变器效率为97-98%，集中式逆变器效率为98%，变压器效率为99
单位体积功率(W/mm3)。为了最大限度地提高功率密度，许多设计人员为他们的设计方案选择更快的开关频率。电源系统使用高功率半导体开关，例如基于硅的MOSFET和基于新型氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC
)的MOSFET，需要高电流隔离的驱动器去控制开关。快速开关提升了系统效率，但是也产生了更高的瞬态噪声，可能引起信号丢失或者由于闩锁而永久性损伤。Si827x栅极驱动器对高速开关引起的瞬态噪声提供优异的
项。 随着电力电子技术的发展与成熟，大功率的电力电子器件IGBT、IGCT、IEGT、Mosfet等也越来越多的应用到工业产品中。目前电力电子器件应用的可靠保证依赖于驱动及保护电路设计，通用的做法是
率时，其输出电流和短路电流 的具有固定的比例关系受光照强度影响的短路电流，变化的系数k，其随环境条件变化而变化。每隔一段时间引入一个周期的短路电流脉冲， 加在功率管 MOSFET的栅极的斜坡信号
持续时间长短，这样就可以确定短路电流。在此期间，扫描光伏阵列的P-I特性曲线，最大功率点将被检测出来，同时采样记录相对应的电流。扫描一个周期结束后，功率开关管 MOSFET 彻底导通，采样短路电流，然后
、逆变器效率逆变器由于有电感、变压器和IGBT、MOSFET等功率器件，在运行时，会产生损耗。一般组串式逆变器效率为97-98%，集中式逆变器效率为98%，变压器效率为99%。1.3.6、阴影、积雪遮挡在
。1.3.5、逆变器效率逆变器由于有电感、变压器和IGBT、MOSFET等功率器件，在运行时，会产生损耗。一般组串式逆变器效率为97-98%，集中式逆变器效率为98%，变压器效率为99%。1.3.6、阴影
