MOSFET
半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)是领先的功率器件半导体供应商，提供全面的功率器件，包括IGBT、MOSFET、二极管、宽带隙(WBG)等分立器件及智能功率
。实验室将建设分立式IGBT评估平台、IGBT模块评估平台，进行仿真、损耗、温升、应力、双脉冲测试等;MOSFET评估平台，可应用于小功率储能逆变器的开发等;SIC IGBT模块评估平台，可应用于高频的
IGBT、MOSFET等功率开关管，以及变压器、电感等磁性器件。损耗和元器件的电流，电压以及选用的材料采取的工艺有关系。 IGBT的损耗主要有导通损耗和开关损耗，其中导通损耗和器件内阻、经过的电流
一般采用小电流的MOSFET，中功率逆变器一般采用集成多个分立器件的功率模块，拓扑结构采用DC-DC-BOOST升压和DC-AC全桥逆变两级电力电子器件变换，防护等级一般为IP65。体积较小，可室外臂挂
家。
逆变器的心脏，功率器件如MOSFET和IGBT，100%依赖进口，从市场竞争格局来看，美国功率器件处于世界领先地位，拥有一批具有全球影响力的厂商，例如Fairchild、Linear、IR
厂商主要有 富士Fuji，三菱Mitsubishi ，西门康semikron，东芝TOSHIBA等，而中国大陆功率半导体市场占世界市场的50%以上，但在中高端MOSFET及IGBT主流器件市场上
的TI、NS、欧洲的ST 这几家。
3、逆变器的心脏功率器件
功率器件如MOSFET和IGBT，100%依赖进口，从市场竞争格局来看，美国功率器件处于世界领先地位，拥有一批具有全球影响力的厂商
%以上，但在中高端MOSFET及IGBT主流器件市场上，90%主要依赖进口，基本被国外欧美、日本企业垄断。
4、其他产品
高端的电流传感器，冷却风扇，光藕，驱动芯片，大部分也是进口的。
目前国内
阻降低10%以上的优化型场效应管（MOSFET）电源开关，并结合采用先进的高压技术，可降低功耗和转换损耗。这可节省电能，减排二氧化碳。不过，随着智能电网互联互通的程度不断提高，还需要可靠的安全解决方案
技术的应用：替代了光伏行业传统的光耦隔离，在电流检测、MOSFET驱动、通信、系统电源方面都有合适的产品。为光伏逆变器的设计提供的更可靠的稳定性和更长的使用寿命。同时，可多功能集成的磁隔离产品的为系统
太阳能逆变器体积的情况下，实现更高的输出功率。 为了确保常通型JFET技术的安全性和易用性，英飞凌开发出一种被称为直驱技术的概念。在这一概念中，JFET与外部低压MOSFET和专用的驱动芯片组
采用导电性能好的导线，导线需要有足够的直径。系统维护中要特别注意接插件以及接线端子是否牢固。 8逆变器效率 逆变器由于有电感、变压器和IGBT、MOSFET等功率器件，在运行时，会产生损耗。一般
