MOSFET
的市场增长动力，预计到2025年，国内汽车功率半导体市场规模将达到270亿元。除新能源汽车外，风电、光伏等应用市场容量持续扩张，带动以 MOSFET 和 IGBT 为代表的功率半导体需求持续提升
，推动功率半导体通过创新融入 碳中和战略蓝图。
此外，家电变频化趋势使得晶闸管、IGBT和MOSFET等功率半导体器件需求大幅上涨，也进一步驱动了功率半导体市场规模的高质量增长。
功率半导体面临千亿级
集中式逆变器的主要原因在于成本高昂，单机最大功率也受到功率器件、线路布置等限制，但得益于上游IGBT和MOSFET等核心元器件的迭代升级，叠加功率模块技术不断发展，组串式逆变器单机功率密度不断提高，价格
技术升级助力降本增效：在光伏发电应用中，基于硅基器件的传统逆变器成本约占系统 10%左右，却是系统能量损耗的主要来源之一，使用SiC MOSFET功率模块的光伏 逆变器转换效率可从96%提升至99
今年以来发的第二封涨价函，早在今年5月份，安森美就曾发布涨价函称，自7月15日起调整第三季度的芯片价格。 事实上，今年以来，安森美的电源管理IC、IGBT、Mosfet等产品交期全线拉长，同时
电力变换、远程控制、数据采集、在线分析、环境自适应等技术于一体的高效智能光伏逆变器、控制器、汇流箱等装备，提高大规模专业化生产水平;鼓励开展金氧半场效晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT
:2016汽车质量管理体系(QMS)等多项认证。2021年4月，三安表示，碳化硅650V/1200V SBD等相关产品已通过AECQ车规级验证，下一步将继续推进车规级MOSFET验证。 同时，三安已经
MOSFET和IGBT产品货期最长达52周，高压MOSFET货期也达到26至40周，价格呈上涨趋势。
此外，包括安森美、Microsemi、罗姆、安世在内的功率半导体厂商，旗下
IGBT、二极管、晶体管、低压MOSFET、整流器等众多产品的供货周期都达到了16至52周，而这些功率半导体正常的供货周期基本在8周左右
用来制造不宜用硅制造的器件。MOSFET在开关应用中受到青睐，因为它们是单极器件，这意味着它们不使用少数载流子。硅双极型器件既使用多数载流子又使用少数载流子，可以在比硅MOSFET更高的电压
下工作，但由于它们在开关时需要等待电子和空穴重新结合以及耗散重组能量，因此其开关速度变慢。
硅MOSFET广泛用于高达约300 V的开关应用中，高于该电压时，器件的导通电阻上升的程度使设计人员不得不转向速度
MOSFET量产平台打造，贯通碳化硅器件产品线 【干货】马不停蹄!央企国企：我很忙 【聚焦】长板时代(二)：中环股份会是光伏界的ASML吗 【视点】彭博新能源财经：电气化与中国能源转型
中国化合物半导体全产业链制造平台三安集成于日前宣布，已经完成碳化硅MOSFET器件量产平台的打造。首发1200V 80m产品已完成研发并通过一系列产品性能和可靠性测试，其可广泛适用于光伏逆变器
。
本次推出的1200V 80m 碳化硅MOSFET，与传统的硅基IGBT功率器件相比，宽禁带碳化硅材料拥有更高、更快、更强的特性更高的耐压和耐热、更快的开关频率，更低的开关损耗。优异的高温和高压特性使得
度电成本是至关重要。采用第三代半导体材料功率器件的光伏逆变器产品，可将峰值转换能效提升至98%以上，助推光伏平价上网。
更小体积、更高效率，鱼与熊掌兼得
从内部测试结果来看，碳化硅MOSFET管开关损耗远
低于硅MOSFET，应用碳化硅SBD与硅IGBT的混合功率模块恢复能耗也大大降低。同时更高的工作频率，也能大量减少无源器件数量，从而缩小系统体积30%以上，提升功率密度。降低间接成本，同时更加可靠
