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“首届光伏逆变器产业链与新材料应用研讨会”在厦门成功举行!

发表于:2020-10-26 10:15:32     来源:光伏绿色供应链

逆变器是光伏不可或缺的重要组成部分,而新材料碳化硅更是逆变器最近关注的热点,10月24日,由中国绿色供应链联盟光伏专委会主办,厦门市三安集成电路有限公司承办的“逆风飞扬 芯之所向——首届光伏逆变器产业链与新材料应用研讨会”在厦门同安圆满召开。

本次研讨会由中国绿色供应链联盟光伏专委会秘书长吕芳主持,工业和信息化部电子信息司电子基础处金磊,工信部国际经济技术合作中心主任、中国绿色供应链联盟副理事长兼秘书长郑红,中山大学教授、中国绿色供应链联盟光伏专委会主任沈辉出席本次论坛并致辞,国务院原参事、中国可再生能源学会理事长石定寰发来祝贺,并提出对光伏产业尤其是逆变器产业链的期许。会议还邀请到了中国能源研究会常务理事李俊峰进行主旨报告。


图为:中国绿色供应链联盟光伏专委会秘书长 吕芳

吕芳主持会议,并提出:“十四五规划即将落锤,加之碳中和的远景目标的强引领,中国光伏将进入大时代。随着市场化竞争的加剧,光伏产业链上下游如何协同发展,保持光伏度电成本的竞争优势?企业应该练好功内功的同时,更加关注产业链的绿色发展、安全保供以及新材料的创新应用。中国绿色供应链联盟光伏专委会主要针对产业链问题服务产业,刚在上个月就行业的痛点问题,一玻难求,在芜湖召开了会议,请来工信部材料司的领导和行业共商对策。今天又将围绕逆变器的新材料展开讨论,共话未来。


图为:工业和信息化部电子信息司电子基础处 金磊

金磊处长在致辞中指出,“不断推广光伏应用模式,技术创新,光伏产业保持增长发展态势,是业界共同努力的结果。但是,目前产业依然面临的困难、矛盾和一些问题,企业,产业的同质化竞争不利于产业发展,要加强引导,产品标准做到尽量规范,有利于行业发展。


图为:工信部国际经济技术合作中心主任、中国绿色供应链联盟副理事长兼秘书长 郑红

郑红指出,全球光伏产业规模快速扩大,技术进步和产业升级加快,成本显著降低,成为全球能源转型的重要支撑。我国光伏产业体系不断完善,技术进步显著,光伏制造和应用规模连续多年位居世界前列,发电效率和制造成本也已领跑全球,光伏产业已成为制造业“国家名片”。希望以此次论坛为契机,进一步推进政、产、学、研、用的融合,不断提升企业对绿色供应链管理的认知程度、管理能力、协作水平,通过光伏逆变器新材料应用带动整个光伏产业链条的不断变绿,助力企业降本增效和行业转型升级,服务生态文明建设。


图为:国务院原参事、中国可再生能源学会理事长 石定寰

石定寰在视频致辞中指出,“中国光伏已经成为了有创新能力,有国际影响力的,有竞争力的新型产业。在光伏产业中,逆变器作为重要部件,发挥关键作用。很多企业通过跨界的融合创新,把新的技术和逆变器融合起来,是光伏产业添上了新的翅膀。通过新材料、新技术的应用不断提高效率、降低成本,拓宽应用领域,整个逆变器行业逐步形成了新的局面。面对能源转型,我们还有很大的空间,需要不断降低逆变器的成本,不断发挥更大的作用,通过能源互联网进入能源系统,改造能源结构成为重要利器,通过新材料新技术的应用推动逆变器产业链的发展。”


图为: 中国绿色供应链联盟光伏专委会主任 沈辉

沈辉在致辞中指出,“科学需要实践,企业是实践最好的平台。我们国家民营企业发展迅猛,尤其是光伏行业的民营企业十分具有科技创新和市场竞争力。逆变器作为光伏的重要部件,创新尤为重要。”沈辉教授最后指出,“希望光伏发电能够短期内实现国内渗透率5%,实现每个区域的光伏自主发电用电。”


图为:中国能源研究会常务理事 李俊峰

会议还邀请到了中国能源研究会常务理事李俊峰进行主旨报告,分析了十四五规划的重要方向,分析了我国能源转型的目标和展望。李俊峰在报告中指出,我国30/60目标,即2030年碳排放达到峰值,2060年前实现碳综合的目标需要我们开展新一轮的绿色革命和产业革命,这就明确了我国能源转型的目标向清洁化、低碳化、智能化发展。可再生能源中,核电和水电受环境的制约,无法快速发展,风电和光伏有着广阔的发展空间。


图为:厦门市三安集成电路有限公司应用工程技术总监 叶念慈

下午的会议有索比光伏的创始人曹宇主持,厦门三安集成电路有限公司应用工程技术总监叶念慈做专题报告:第三代半导体材料碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)在禁带宽度、击穿场强、电子饱和速度、热导率等方面,和硅及砷化镓等第一、二代半导体材料相比具有显著的优势。碳化硅功率器件,为实现光伏逆变器的“高转换效率”和“低能耗”提供了所需的低反向恢复和快速开关特性,对提升光伏逆变器功率密度、进一步降低度电成本是至关重要。采用第三代半导体材料功率器件的光伏逆变器产品,可将峰值转换能效提升至98%以上,助推光伏平价上网。

更小体积、更高效率,鱼与熊掌兼得

从内部测试结果来看,碳化硅MOSFET管开关损耗远低于硅MOSFET,应用碳化硅SBD与硅IGBT的混合功率模块恢复能耗也大大降低。同时更高的工作频率,也能大量减少无源器件数量,从而缩小系统体积30%以上,提升功率密度。降低间接成本,同时更加可靠

第三代半导体优良的导热系数,使其可以在高温下工作,减少了散热系统的尺寸。这也降低了系统的复杂度和维护成本,间接降低产品BOM表和使用成本。

会议现场演讲报告嘉宾▼






研讨会最后,现场嘉宾充满热情的参观了三安集成位于厦门的中国首条6英寸化合物半导体生产线和第三代半导体生产线;大规模的自动化机台阵列、高标准无尘生产环境,以及训练有素的一线员工为与会嘉宾留下深刻印象。


图为:会议现场合影留念

责任编辑:大禹
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