MOSFET
逆变器的适配性。实验室建设分立式IGBT评估平台、IGBT模块评估平台，进行仿真、损耗、温升、应力、双脉冲测试等;SiC DIODE和SiC MOSFET评估平台，可应用于更高频更高功率密度
2022首届新能源汽车电驱动技术创新峰会在长沙圆满落幕。会议上，湖南三安发布了最新的1200V 碳化硅MOSFET系列产品。9月2日，湖南三安半导体主办的2022首届新能源汽车电驱动技术创新
。议程报告从政策、市场、技术创新和生产制造以及应用等多方面深入探讨了电驱动技术相关话题，共同促进新能源汽车行业和电驱动技术的繁荣发展。作为峰会亮点，湖南三安发布了最新的1200V碳化硅MOSFET系列
IGBT和MOSFET，用于功率变换，IGBT功率较大，主要用于中大功率逆变器，MOSFET功率较小，主要用于中小功率逆变器;IC芯片包括微处理器，如MCU(单片机)、DSP(数字信号处理)、ARM
Mitsubishi、西门康semikron，东芝TOSHIBA等，而中国大陆功率半导体市场占世界市场的50%以上，但在中高端MOSFET及IGBT主流器件市场上，主要依赖进口。
逆变器的好坏
IGBT(绝缘栅双极型晶体管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)等器件产品，到2025年力争全市功率半导体产能达到15万片/月(折合8英寸晶圆)。推动计算机、家电企业研发应用新型节能技术、开展
:户用、储能多少功率以上会用 IGBT ? A: 20KW。 Q: IGBT 什么时候缓解?小厂商拿 IGBT 成本更高? A :今年比较悲观，可能还会加价。6月份会有集采，能确认明年的供给。是的。英飞凌对外涨 10% ，对华为、阳光涨 5%，Mosfet 不太缺。
来看，采用碳化硅器件可有效提高光伏发电转换效率，碳化硅MOSFET或碳化硅MOSFET与碳化硅SBD结合的功率模块的光伏逆变器，转换效率可从96%提升至99%以上，能量损耗降低50%以上，设备循环寿命提升50倍。
光伏逆变器应用且基于CoolSiC沟槽栅设计的碳化硅MOSFET产品，助力终端应用小型化，提高产品的功率密度与转换效率，压缩系统成本。
图源：阳光电源
2020年，英飞凌为阳光电源打造了
。
功率模块拓扑 图源：安森美
上图为该全碳化硅功率模块的内部电路拓扑，模块内部由两个相互独立升压级和一个热敏电阻构成，其中MOSFET采用的是耐压等级为1200V，导通电阻为40m的碳化硅
功率半导体就是其中电能转换和控制的核心，主要用于改变电压和频率。
其实当时用于控制电机转速的MOSFET已经是比较好的功率器件了，它能够以可变频率向电机组输出功率;但是由于MOSFET只能应用于低压
场景中，并不足以满足高电压下对输出电压的准确调节。
1980年，美国通用电气的工程师Jayant Baliga发明了一种兼具MOSFET管和双极型晶体管(BJT)优点的复合型元器件绝缘栅双极晶体管
12月31日，露笑科技（SZ:002617）在投资者互动平台上表示，目前碳化硅SBD二极管和MOSFET管，可以广泛应用于新能源汽车、光伏等各个领域。公司的碳化硅衬底片车企和光伏领域都能应用。目前公司一期项目已正式实现投产，后续会根据市场订单情况完成产能的进一步扩张。
SLMi823x 非常适合 MOSFET/IGBT、SiC 和 GaN 场效应管的隔离驱动。 02 兼容光耦带DESAT保护功能的IGBT/SiC隔离驱动SLMi33x系列 SLMi330CG-DG
