MOSFET
开关损耗小和阻断电压高的优点，但开关频率不高，驱动电流较大。第三代是MOSFET，它是一种电压控制型器件，控制功率极低，开关频率高，但输出特性不好。第四代是绝缘栅晶体管(IGBT)，它是一种用MOS栅
控制的晶体管，它集中了GTR和MOSFET的优点，驱动电路简单和开关频率高，和MOSFET相似，输出电流大和GTR相似，第五代是加入SIC碳化硅材料的MOSFET和IGBT以及碳化硅肖特基二极管
电力电子器件变换全桥逆变，后级一般接双分裂工频升压隔离变压器，防护等级一般为IP20。体积较大，室内立式安装。 组串式逆变器：功率在1kW到80kW，小功率逆变器开关管一般采用小电流的MOSFET
，设计上要采用导电性能好的导线，导线需要有足够的直径。系统维护中要特别注意接插件以及接线端子是否牢固。(5)逆变器效率逆变器由于有电感、变压器和IGBT、MOSFET等功率器件，在运行时，会产生损耗
。为此，设计上要采用导电性能好的导线，导线需要有足够的直径。系统维护中要特别注意接插件以及接线端子是否牢固。(5)逆变器效率逆变器由于有电感、变压器和IGBT、MOSFET等功率器件，在运行时，会产生
以及接线端子是否牢固。 (5)逆变器效率 逆变器由于有电感、变压器和IGBT、MOSFET等功率器件，在运行时，会产生损耗。一般组串式逆变器效率为97-98%，集中式逆变器效率为98%，变压器效率为
有足够的直径。系统维护中要特别注意接插件以及接线端子是否牢固。 逆变器效率 逆变器由于有电感、变压器和IGBT、MOSFET等功率器件，在运行时，会产生损耗。一般组串式逆变器效率为97-98
控制在5%以内。为此，设计上要采用导电性能好的导线，导线需要有足够的直径。系统维护中要特别注意接插件以及接线端子是否牢固。五.逆变器效率逆变器由于有电感、变压器和IGBT、MOSFET等功率器件，在运
采用导电性能好的导线，导线需要有足够的直径。系统维护中要特别注意接插件以及接线端子是否牢固。 五.逆变器效率 逆变器由于有电感、变压器和IGBT、MOSFET等功率器件，在运行时，会产生损耗。一般
点。光伏逆变器中的功率开关器件主要是指分立器件功率MOSFET和功率模块IGBT。早期的中功率组串式逆变器，一般采取分立器件，由于功率MOSFET电流都比较少，一般都采取多个器件并联的方式。50KW
MOSFET，IGBT饱和压降低，容易实现高压、大电流化，在中大功率逆变器占主导地位。而IGBT模块比分立的IGBT单管具有更高的可靠性和安全工作区。光伏逆变器前级采用双BOOST升压的IGBT功率模块
功率开关器件主要是指分立器件功率MOSFET和功率模块IGBT。早期的中功率组串式逆变器，一般采取分立器件，由于功率MOSFET电流都比较少，一般都采取多个器件并联的方式。50KW逆变器采用分立器件来
现状。Vincotech专为中功率组串式逆变器推出的IGBT功率模块，一个模块相当于8个分立器件。模块具有很高的灵活性。双BOOST功率模块相对于MOSFET，IGBT饱和压降低，容易实现高压、大电流
