MOSFET

器件比IGBT或MOSFET具有优越性。SiC器件是已经大批量量产的成熟产品，并且已经批量化使用。如果SiC器件不是成熟产品，全球所有做SiC器件的厂家可能都要倒闭，SiC供应商应该不会这么傻，只干一票

、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、国防、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及一站式服务使Vishay成为了全球业界领先者。

25年以上。为实现上述这些性能参数，逆变器制造商通常采用碳化矽的萧特基二极体和金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)，并由具高可靠性的系统单晶片(SoC)现场可编程闸阵列(FPGA)控制；有鉴于此

一定要注意这个前提。提升逆变器的性能，尤其是效率，需要多方面的创新和努力，其中使用高效功率器件也是手段之一。逆变器的发展与功率器件的发展是相互促进的。SiC器件比IGBT或MOSFET具有优越性

索比光伏网讯:中国科学院上海微系统与信息技术研究所在锗基石墨烯应用研究中取得新进展。信息功能材料国家重点实验室SOI材料课题组在国际上首次采用单侧氟化石墨烯作为锗基MOSFET的栅介质/沟道界面钝化
半导体转变为二维绝缘材料。于是，创新性地将氟化石墨烯作为界面钝化层应用于锗基MOSFET器件中。研究表明，氟化石墨烯能够有效抑制界面互扩散行为，尤其是抑制氧原子向锗基衬底的扩散，避免不稳定氧化物以及

应用是基于SiC的有源开关器件，比如SiC MOSFET和SiC JFET. 从目前电压等级4Kv以下的应用来看，SiC MOSET有打败SiC JFET的势头。SiC MOSFET有着卓越的开关损耗
和超小的导通损耗。SiC MOSFET大批量商业化的最大障碍目前还是由于其居高不下的价格。然而我们还是要综合评估整个系统成本，因为SiC MOSFET还是带来系统整个体积和其他成本的下降。文本会介绍

工作。同时，它内部的谐波分析引擎能方便的进行有功、无功功率的计算。磁隔离技术的应用：替代了光伏行业传统的光耦隔离，在电流检测、MOSFET驱动、通信、系统电源方面都有合适的产品。为光伏逆变器的设计提供的

很差。但是这类产品成本很低，故大量的充斥着国内市场。3. 使用其他的架构：如SunSource新推出的微型并网逆变器就属于这个类型。它的前级使用的是推挽正激电路，引入了嵌位电容，使前级MOSFET的峰值
电压控制在100V以下，前级150V耐压的MOSFET可以绝对安全的运行，后级整流二极管使用的是跟Enphase及英伟力等一样的1200V的碳化硅二极管，性能超越，整机配上电子灌封胶，运行时没有噪音

科锐(Nasdaq： CREE)宣布C2M系列1200V / 80m SiC MOSFET被日本Sanix公司采用，应用在其新型9.9kW三相太阳能逆变器的设计之中，以用于日本快速增长的太阳能市场
商业光伏系统建设。 Sanix公司总经理Hiroshi Soga表示：通过与科锐的合作并采用其SiC技术，Sanix公司能够在竞争激烈的日本太阳能市场争取更多的市场份额，科锐SiC MOSFET是

逆变器由于有电感、变压器和IGBT、MOSFET等功率器件，在运行时，会产生损耗。一般组串式逆变器效率为97-98%，集中式逆变器效率为98%，变压器效率为99%。 1.4.6阴影、积雪