Sanix公司总经理Hiroshi Soga表示：“通过与科锐的合作并采用其SiC技术，Sanix公司能够在竞争激烈的日本太阳能市场争取更多的市场份额，科锐SiC MOSFET是Sanix公司实现高效率与散热设计目标的关键。同我们原先考虑采用的Si超结MOSFET相比，SiC技术能够降低我们逆变器电子中超过30%的损耗。除了大幅提升效率之外，科锐最新一代C2M SiC MOSFET的价格也很有竞争力，使得替代低电压、低耐受度、低效率的Si MOSFET成为可能。
科锐1200V SiC MOSFET
科锐1200V C2M 0080120D MOSFET应用在太阳能逆变器的主要电能转换阶段，具有更快的开关特性，开关损耗仅为相应的900V Si超结MOSFET的三分之一。科锐SiC MOSFET通过大幅降低开关损耗，从而实现更低的总体系统能源损耗、更高的开关频率、更低的工作温度。所有这些优点帮助提升转换效率，同时降低了系统尺寸、重量、复杂度和热管理要求。从系统层面来看，逆变器的性能得到了提升、成本得到了下降、使用寿命得到了延长。
科锐功率与射频总经理兼副总裁Cengiz Balkas表示：“我们很高兴Sanix公司选择科锐C2M 1200V SiC MOSFET技术应用在其新型9.9 kW太阳能逆变器中。科锐SiC功率器件为光伏逆变器带来效率、可靠性及成本等多方面的显著优势，为Sanix公司提供关键竞争优势，从而帮助其在日本太阳能市场中继续扩大市场份额。”
科锐C2M系列SiC MOSFET业经证明可实现三倍于传统Si技术的功率密度，目前可提供1200V和1700V、25 m到1 不同产品型号可选。科锐C2M MOSFET可用于各种工业级功率型应用场合，自2013年3月推出以来市场需求就不断增长。科锐SiC MOSFET已经实现量产，并为Sanix公司和其他光伏逆变器生产商，以及工业电源、辅助电源转换器、电池充电器和马达驱动生产制造商等供货。
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