MOSFET

开关级的连接方式，电路中只连接一个太阳能板和一个负载，每个开关级都有一个内部电感，其中的开关和二极体都是导通电阻较低的金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)开关管。在100kHz预设开关频率下，每个

索比光伏网讯:太阳能(PV)三级逆变器(Three Level Inverter)设计架构正快速崛起。大多数逆变器业者已计划在今年扩大导入三级拓扑结构，提升金属氧化物半导体场效应电晶体(MOSFET
MOSFET，达成最高2,400伏特的电压支援，三级拓扑设计改以四颗600伏特功率元件构成，这种设计虽能减轻电力转换损失，但也须导入更复杂的脉冲宽度调变(PWM)机制或增加微控制器(MCU)输入/输出

。 * 混合SiC模块：主开关采用Si-IGBT，续流二极管采用SiC-SBD * 全SiC模块： 主开关采用SiC-MOSFET，续流二极管采用SiC-SBD
模块（IGBT、IPM、DIPIPMTM、HVIGBT、MOSFET等）、三菱微波/射频和高频光器件、光模块等产品，其中三菱功率模块在电机控制、电源和白色家电的应用中有助于您实现变频、节能和环保的需求；而三菱系列光器件和光模块产品将为您在各种模拟/数字通讯、有线/无线通讯等应用中提供解决方案。

转换器将科锐的碳化矽(SiC)功率 MOSFET纳入设计。碳化矽功率 MOSFET的加入，使下一代的太阳能逆变器在功率密度、效率和重量上达到重要的新里程碑。台达能源系统公司的太阳能逆变器研究与发展主管
Klaus Gremmelspacher评论表示：通过利用碳化矽功率 MOSFET，台达下一代的太阳能逆变器在功率密度上达到新的里程碑。对我们在实现轻型且具备业界领先效率的新型高功率转换器的目标来说

索比光伏网讯:碳化矽功率 MOSFET技术可显著改善太阳能逆变器的重量、成本和效率。科锐公司(Nasdaq:CREE)与台达能源系统公司(Delta Energy Systems)共同宣布成功达成
太阳能逆变器(PV inverter)业内一项计划，台达的新一代的太阳能转换器将科锐的碳化矽(SiC)功率 MOSFET纳入设计。碳化矽功率 MOSFET的加入，使下一代的太阳能逆变器在功率密度、效率和

LF2407A的优势。前级多级叠堆DC/DC功率器件采用频率更高的MOSFET，后级逆变H桥采用英飞凌的IGBT，并配合上方专利级的功率驱动和保护模块，铸造了上方的SMA系列极高的性价比

，逆变器总体能效仍然提高2%。在逆变器的额定生命周期内，2%的能效改进可让家庭太阳能发电系统和大功率发电站节省数兆瓦小时的宝贵电能。意法半导体还发布了碳化硅MOSFET项目的最新进展。意法半导体的
碳化硅MOSFET将是世界首批商用碳化硅MOSFET。因为有诸多优点，预计将会取代太阳能逆变器中的高压硅绝缘栅双极晶体管。 除了比IGBT降低50%的能耗外，碳化硅MOSFET无需特殊的驱动电路，且工作

能使用功率 MOSFET 作为电子开关，没有任何机械开关具有广泛的适用性，自动识别白天/黑夜LED数字化功能菜单设置及显示简明、易用路灯的定时时段 1~15 小时可调独特的双时段控制，增强了路灯系统的灵活性

，进一步扩大功率优化器应用产品阵容。 据了解，SPV1080移除前款晶片内建的40伏特(V)金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)，可任由客户搭配MOSFET决定功率优化器的耐压能力，适用于低到高功率

功率 MOSFET 作为电子开关，没有任何机械开关 具有广泛的适用性，自动识别白天/黑夜 采用图形点阵式液晶显示器及4按键人机界面，完整的菜单式显示及操作 人性化设计的浏览界面，方便各项操作 完整的