MOSFET
孤岛效应"测试等各种新规范。在对硅基MOSFET等新材料的要求方面，SiC技术在碳化物领域发生了显著的改变，使得MOSFET(金氧半场效晶体管)的生产能力远超出了相类似的硅绝缘栅双极型晶体管
晶闸管(GTO)等，在小容量低压系统中使用较多的器件为MOSFET，在大容量系统中一般均采用IGBT模块，而在高压特大容量(1000KVA以上)系统中，一般均采用IGCT、GTO等作为功率元件。供应商主要
MOSFET来升高或者降低输出电压。这需要一种快速片上ADC来对电压和电流采样。 不存在微型逆变器的"饼干模"(通用)设计。这也就是说，设计人员必须发挥聪明才智，创新地找出一些新的技巧和方法，特别是在
低压系统中使用较多的器件为MOSFET，在大容量系统中一般均采用IGBT模块，而在高压特大容量（1000KVA以上）系统中，一般均采用IGCT、GTO等作为功率元件。供应商主要集中于日本、德国几大
。美高森美可以提供这样的解决方案。 我们为不断扩大的光伏应用设计社群提供他们所需的全部技术和产品，从而将其设计快速推向市场。通过采用模拟、混合信号和数字器件的产品组合，如旁路器件、MOSFET和
上Microsemi展示哪些新的新能源方案？ Rufino Olay：美高森美除了提供具有多种功率模块配置的功率半导体产品之外，还提供IGBT、MOSFET和FRED器件，推动实现更高效的新型转换器
太阳能电池系统导入家庭时，都需要一定的成本，而在这种理念下因可构筑小型系统，所以消费者可容易地开始使用太阳能发电。配备功率MOSFET、基于“ARM Cortex-M3”的32bit MCU、SiC二极管。电力效率据称达到95％以上。
上有着深厚技术积累的威世半导体以及意法半导体也将参加此次会议。威世半导体是全球分立半导体(二极管、MOSFET和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器、电容器)的最大制造商之一。威世所生产的这些元器件
SemiSouth 碳化硅 JFET 和二极管组合，我们就能以效能更高的碳化硅技术取代硅二极管、MOSFET 和 IGBT，来应对相同应用中的主要功率转换和逆变电路。" SemiSouth 销售副总裁
MOSFET使用时，这些肖特基二极管使得高功率电子系统成为可能，其开关频率较传统以硅为材料的解决方案可高出5倍至8倍。在更高的开关频率下可使用较小磁性和电容性的元件，从而可以缩减系统体积、降低重量和成本
耗散问题的一种更加有效方法是用一个基于MOSFET的理想二极管来替代肖特基二极管。这将把正向电压降减小到低至20mV，从而显著地减少功耗，同时降低散热布局的复杂性、外形尺寸和成本。幸运的是，由于已经有
