MOSFET

另一级的纹波电流，因而可在很宽工作输入范围上去除输入纹波电流。如FAN9612交错式BCMPFC一类的控制完全能够轻松满足太阳能升压级的要求。逆变器中的升压开关有两个选择：IGBT或MOSFET。对于
需要600V以上额定开关电压的输入级，常常会采用1200VIGBT快速开关，如FGL40N120AND。对于额定电压只需600V/650V的输入级，则选用MOSFET。输出H-桥级的设计人员一直以来都

索比光伏网讯:发展逆变器技术是太阳能应用提出的要求，本文介绍了太阳能逆变器的原理及架构，着重介绍了IGBT和MOSFET技术，实现智能控制是发展太阳能光伏逆变器技术的关键。一、太阳能对逆变器的要求
（像MOSFET或IGBT）的电阻值来实现。输出电压被脉冲调制的自励逆变器被称为脉冲逆变器。这种逆变器通过增加周期内脉冲的切换次数，来降低电压、电流的谐波含量；谐波含量与脉冲切换次数呈正比。目前

,跻身全球测试榜单前10名。CPSSC20KTL-O采用专利的三电平技术、IGBT和MOSFET并联技术,使效率在全范围内达到最大化,并具备高可靠全数字控制技术、两路最大功率跟踪、以及先进热设计、智能

标准, 跻身全球测试榜单前10名。 CPS SC20KTL-O采用专利的三电平技术、IGBT和MOSFET并联技术, 使效率在全范围内达到最大化, 并具备高可靠全数字控制技术、两路最大功率跟踪

索比光伏网讯:随着节能观念兴起，再生能源的发电效率也逐渐受到重视，为迎合市场需求，太阳能业者皆无所不用其极努力打造节能高效的太阳能发电系统。受惠近期太阳能光伏逆变器中的IGBT与MOSFET两项功率
元件技术显著进步，太阳能面板转换效率已大幅提升。IGBT技术演进日趋成熟IGBT与N通道(N-ch)型MOSFET不同处在于，N-ch型MOSFET的基板极性为N；而IGBT的基板极性为P。由IGBT

A级标准, 跻身全球测试榜单前10名。CPS SC20KTL-O采用专利的三电平技术、IGBT和MOSFET并联技术, 使效率在全范围内达到最大化, 并具备高可靠全数字控制技术、两路最大功率跟踪、以及

无偿资助。 　　“太阳能光伏并网发电逆变电源系统”项目采用先进的最大功率跟踪(MPPT)控制技术、IGBT和MOSFET并联技术、单周期控制技术、并网控制技术等，具有电网侧高功率因数正弦波电流、无谐波

所示。选择的保险丝可以是一个用户可更换或波利热熔断器。保险丝可以提供必要的保护，但可能导致不太好的用户体验。实现二极管反向极性保护的低损耗方式是使用MOSFET，当施加的电压极性正确时MOSFET导通
主开关的温度进行监测，以确定它是否超过了最高温度水平。如果主MOSFET的温度已超过了适当的水平，过温保护(OTP)可以抑制电流以减少系统功耗。热管理NCP1294是一个低功耗器件。一旦确定了IC功耗

使用MOSFET，当施加的电压极性正确时MOSFET导通，而在电压极性不正确时关闭。图5 E所示。 图5：反极性的输入端连接在第三种情况下，输出是反极性连接，输入是正确连接，功率元件可能会损坏。由于源
输出功率。OTP功能由于太阳能控制器可能以不恰当的方式使用，建议对降压主开关的温度进行监测，以确定它是否超过了最高温度水平。如果主MOSFET的温度已超过了适当的水平，过温保护(OTP)可以抑制电流以减少

损耗。IGBT技术IGBT基本上是具备金属门氧化物门结构的双极型晶体管(BJT)。这种设计让IGBT的栅极可以像MOSFET一样，以电压代替电流来控制开关。作为一种BJT，IGBT的电流处理能力比
MOSFET更高。同时，IGBT亦如BJT一样是一种少数载体元件。这意味着IGBT关闭的速度是由少数载体复合的速度快慢来决定。此外，IGBT的关闭时间与它的集极-射极饱和电压(Vce(on))成反比(如图3