MOSFET

越高，效率越高，在工作点最优时可获得97%的转换效率。本文采用了一个半桥LLC串联谐振电路，如图2所示。半桥LLC 串联谐振电路包含输入电容C1 、C2 ,MOSFET Q1 、Q2 ,谐振电感Lr

：替代了光伏行业传统的光耦隔离，在电流检测、MOSFET驱动、通信、系统电源方面都有合适的产品。为光伏逆变器的设计提供的更可靠的稳定性和更长的使用寿命。同时，可多功能集成的磁隔离产品的为系统节省了更多的

产品规格以抢攻商机，例如快捷本身即推出可符合双倍功率输出需求的绝缘闸双极性电晶体(IGBT)及金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)，以及可在100k～200kHz高开关切换频率下运作的电容器，以

并网的要求。图2逆变器主电路 2 DC/DC控制模块SG3525是专用于驱动N沟道功率MOSFET的PWM控制芯片。SG3525的输出驱动为推拉输出形式，可直接驱动MOS管；内部含有欠压锁定电路

控制器到电力电子在内的完整的解决方案的半导体供应商之一，其综合产品组合为太阳能应用提供最佳效率和可靠性。英飞凌凭借超结MOSFET、沟槽栅场终止技术的IGBT、无磁芯变压器驱动器等前沿技术以及丰富的

强度是硅的10倍，电子饱和速率是硅的2倍。 　　　 　　　在这次展会上，三菱电机也展出多款碳化硅器件，包含适用于新能源发电的全碳化硅MOSFET模块。与传统的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有关断拖
新纪元视为责无旁贷的义务与使命。凭借优越的技术与创造力贡献产业的发展以促进社会繁荣。 　　三菱电机半导体产品包括三菱功率模块（IGBT、IPM、DIPIPMTM、HVIGBT、MOSFET等

索比光伏网讯:富士电机开始推进SiC MOSFET的实用化。最初打算用于该公司2014年8月开始量产的大型光伏电站用逆变器，该逆变器的输入电压为DC1000V、输出功率为1000kW。该公司已经推出
了SiC二极管产品，在逆变器的升压电路中采用了配备该SiC二极管和该公司的SiC MOSFET的功率模块，由此提高了转换效率并实现了小型化。新款逆变器的转换效率为98.8％，属于行业最高水准（富士电机

更重要的是)能够使用更小、更便宜的元件，从而在系统级别上显著降低成本。在过去 30 多年中，诸如 MOSFET 和 IGBT 之类的 CMOS 替代产品在大多数电源设计中逐渐取代基于硅的 BJT，但是

光伏逆变器提供从控制器到电力电子在内的完整的解决方案的半导体供应商之一，其综合产品组合为太阳能应用提供最佳效率和可靠性。英飞凌凭借超结MOSFET、沟槽栅场终止技术的IGBT、无磁芯变压器驱动器等

采用小电流的MOSFET，拓扑结构采用DC-DC-BOOST升压和DC-AC全桥逆变两级电力电子器件变换，防护等级一般为IP65。体积较小，可室外臂挂式安装。在多组串逆变器中，包含了不同的单独的功率