MOSFET

。 英飞凌已连续十年稳居功率半导体市场榜首，是少数能为光伏逆变器提供从控制器到电力电子在内的完整的解决方案的半导体供应商之一，其综合产品组合为太阳能应用提供最佳效率和可靠性。英飞凌凭借超结MOSFET、沟槽

管采用小电流的MOSFET，拓扑结构采用DC-DC-BOOST升压和DC-AC全桥逆变两级电力电子器件变换，防护等级一般为IP65。体积较小，可室外臂挂式安装。在多组串逆变器中，包含了不同的单独的功率

少数能为ink"光伏逆变器提供从控制器到电力电子在内的完整的解决方案的半导体供应商之一，其综合产品组合为太阳能应用提供最佳效率和可靠性。英飞凌凭借超结MOSFET、沟槽栅场终止技术的IGBT、无磁芯

罗姆在PCIM Europe 2014并设的会议上，发表演讲介绍了耐压为1200V的沟道型SiC MOSFET的情况，除了这种MOSFET的特点以外，还公布了实用化时间，计划从2014年秋季开始陆续
样品供货。该公司此前已经投产了平面型SiC MOSFET，此次是首次投产沟道型SiC MOSFET。即使在功率元件行业，估计这也是首次实现沟道型SiC MOSFET的实用化。沟道型SiC MOSFET

IGBT，系统拓扑结构采用DC-AC一级电力电子器件变换全桥逆变，工频隔离变压器的方式，防护等级一般为IP20。体积较大，室内立式安装。组串式逆变器：功率小于30KW，功率开关管采用小电流的MOSFET

蓄电池组，使得充放电能同时进行，通过智能核心控制既可以对负载放电，同时叉可以在充电条件到达时对备用储能电池组充电，两组蓄电池之间的切换由系统实时监测其电压状态决定。 MOSFET充放模块由智能管理
核心驱动的MOSFET充电模块，可根据系统的不同，选取不同电压等级的MOSFET，来实现系统对蓄电池的充放电。MOSFET可选用InternationalRectifier公司的第三代HEXFETs产品

和MOSFET驱动器VOW3120-X017T，扩充其光电子产品组合。VOW3120-X017T的最短电气间隙和外爬电距离为10mm。该器件不仅具有长隔离距离，还具有1414V的VIORM和8000V
Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的财富1000 强企业，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器

SiC功率调节器将于2015年度投产欧姆龙开发出了二极管和晶体管均采用SiC功率元件的功率调节器。输出功率为5.9kW级，计划2015年度内投产（a、b）。采用了在TO247封装中集成SiC MOSFET

。这种变换思想当时即被用在逆变电源系统中，但由于当时的功率器件昂贵，且损耗大，高频高效逆变电源的研究一直处于停滞状态。到了80年代以后，随着功率MOSFET工艺的日趋成熟及磁性材料质量的提高，高频变换