意法半导体投产采用新一代元件的光伏发电功率调节器用功率半导体

大型功率半导体厂商意法半导体公司3月宣布，将销售采用新一代半导体元件SiC（碳化硅）的功率MOSFET（金属氧化物半导体型场效应晶体管）“SCT30N120”。新产品的工作温度为200摄氏度，达到业界最高水平，耐压实现了1200伏。计划用于光伏发电用功率调节器（PSC)等。

功率半导体元件采用SIC的优点是，与以往的硅功率半导体元件相比，可降低能量损失。意法半导体称，最少可降低50%。

此次的高耐压SiC功率MOSFET将在光伏发电用PCS中取代以往的硅IGBT（绝缘栅双极晶体管）。其作用是将太阳能电池板发电的直流电转换成高电压的交流电。


与硅IGBT相比，其优点包括无需使用专用驱动电路即可转换:能以更高的频率工作，可削减PCS功率单元内其他部件的尺寸。由此，可实现PCS功率单元的低成本和小型化，还能提高转换效率。

新产品目前正在样品供货，预定6月开始量产。采用为提高温度特性而自主研发的HiP247封装。批量购买1000个时的价格约为35美元。

日本国内外的厂商都在开发半导体元件采用SiC的功率半导体产品。今后，如果价格能降低，除了控制马达的逆变器外，还有望得到光伏发电用PCS的全面采用。



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